发布时间：2013-07-3 阅读量：663 来源: 我爱方案网 作者:
HVNQ系列产品非常丰富，包括各种电压范围及不同输出功率的产品，根据输入输出电压范围可分为9-20V/0-20V, 9-40V/0-40V, 9-60V/0-60V, 9-90V/0-90V四个系列。该系列产品最大输出电流可达60A，可在半砖实现2000W的输出功率，输出电压范围很宽，可在“0”到90V之间的任意调压，满载效率高达95%。HVNQ产品保护功能齐全，包括输入欠压保护、输入输出过流保护、输入输出过压保护以及过温保护。且其可选的电流预设功能，可作为一个电流源用于大容量电池和电容充电的应用场合。HVNQ高压非隔离模块系列产品可适用于中间总线架构的电源系统、电池充电设备或其他需要可调电压的产品。
HVNQ系列产品有工业标准封装1/8砖、1/4砖和半砖尺寸，可立即供应样品及批量订单。
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）迎来开门红，整体出货量达到890万台，同比增长12%，呈现稳健复苏态势。与此同时，平板电脑市场表现更为亮眼，出货量达870万台，同比大幅攀升19%，显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日，上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台，重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用，彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
