低成本氮化镓衬底HVPE系统,助力降低LED成本

发布时间:2013-03-22 阅读量:698 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】HVPE系统预期可降低LED生产成本并加快在商业和住宅照明领域中的应用 。HVPE系统将用于生产LED或其他高增长行业所用衬底的优质GaN外延薄膜。与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比,HVPE系统可能带来更高的增长率并改进材料特性,有望显著降低工艺成本,同时提高设备性能。

极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一项开发及许可协议,根据该协议,GT将开发、生产和商业化大容量多晶圆HVPE系统。这一HVPE系统将用于生产LED或其他高增长行业(例如电力电子行业)所用衬底的优质GaN外延薄膜。与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比,HVPE系统可能带来更高的增长率并改进材料特性,有望显著降低工艺成本,同时提高设备性能。协议中规定的专利技术许可费的首期预付款已经开始支付,但是具体条款尚未对外披露。

Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下的一家子公司)拥有独家HVPE专利技术,包括有望降低输送至HVPE反应器的前驱体成本的新颖且先进的源输送系统。GT公司将利用上述HVPE专利技术来开发、生产和商业化HVPE系统。这一HVPE系统可实现GaN模板蓝宝石衬底的规模化生产。HVPE系统预计将于2014年下半年上市。

低成本氮化镓衬底HVPE系统

Soitec Phoenix Labs副总裁兼总经理Chantal Arena表示:"我们已在GaN外延工艺开发方面倾注了六年多的时间,并且在HVPE技术方面也已取得了关键性突破。这一技术对生产高质量、低成本的蓝宝石衬底的GaN薄膜至关重要。今天,我们和GT公司共同宣布的开发和许可协议是这项工作的终极证明,同时这项协议是建立在去年我们与Silian共同公布的协议基础之上,其时协议的目的旨在将基于HVPE的技术集成入其蓝宝石中。这使得Soitec能够针对差异化的技术和产业合作伙伴提供包括材料和设备在内的不同层次的LED照明系统产品。Soitec Phoenix Labs在外延附生技术和GaN材料方面的精深专业技能, 将成为GT公司向市场提供革命性HVPE系统的关键性因素。"

GT 总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示:"GT公司在提供改变行业(如太阳能PV和LED)的创新设备方面拥有良好的成功记录。随着我们不断拓展新的高价值技术以扩大业务范围和向市场提供成功的解决方案,我们希望找拥有合适技术的合作伙伴,以与我们的设备业务形成互补。在经过广泛的寻找之后,我们最终与Soitec签订了协议。在GaN工艺专有技术方面,Soitec Phoenix Labs带来了高水平的专长和技术经验。当HVPE系统上市时,我们相信新的HVPE系统将成为一个重要因素,能够进一步降低LED设备成本并帮助推动行业形成更强的竞争力和更大的增长。"

相关资讯
中国PC市场2025年第一季度分析报告:消费驱动增长,本土品牌崛起

2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。

安森美携AI驱动听力解决方案亮相第九届北京国际听力学大会

2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。

国产超低功耗霍尔传感器突破可穿戴设备微型化极限——艾为电子Hyper-Hall系列技术解析与行业前景

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。

HBM技术演进路线图深度解析:从HBM4到HBM8的十年革新

韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。