发布时间:2013-03-6 阅读量:772 来源: 我爱方案网 作者:
先简要地了解一下传统的降压直流-直流转换器,STw4141创新的双输出拓扑就是源自这种设计。 图1是一个简单的降压转换器的电路示意图,图2是其线圈电流的波形。降压转换器拓扑组件包括PMOS和NMOS组成的功率级、线圈L、输出电容C和反馈控 制回路。PMOS和NMOS以1/T的频率反相开关,占空比为D1.。当PMOS晶体管导通时,线圈电流开始上升,斜率为:
(1) 当NMOS晶体管导通时,线圈电流开始下降,斜率为:
(2) 在稳态过程中,一些条件必须有效;
(3)每个时钟周期开始时的线圈电流IL必须等于每个时钟周期结束时的线圈电流IL(否则系统不是稳态)。从这个条件,我们可以得出降压转换器的占空比公式。
(4) 公式4指线圈产生的总电量必须等于负载消耗的总电量,假设所有的开关和RDSon损耗忽略不计。
对于双输出拓扑,在STw4141稳压器中,线圈产生的电流分配给两个输出端,从这两个输出端口获得的负载电流可以(实际上总是)完全不相关。因此,公式4的稳态条件必须改写成:
(6) 其中,Iload1 是负载从输出1汲取的电流,Iload2 是负载从输出2汲取的电流。
为了按照公式6分配电量,系统就需要增加两个开关MOS1和MOS2,如图3所示。当MOS1导通 时,线圈内贮存的电量就会传送到输出1;当MOS2导通时,线圈内贮存的电量就会传送到输出2。MOS1和MOS2以类似于PMOS和NMOS的1/T频 率反相开关,而占空比D2.不同于PMOS和NMOS的D1。可以说占空比D1是测量系统能够传输的总电能的标准,而占空比D2则是测量两个输出之间分配 的总电能的标准。值得注意的最重要因素是,该系统只需一个线圈。
图4是双输出拓扑线圈电流的波形。与传统的降压转换器不同,双输出拓扑有三个主要相位:(Vbat-Vout2)/L上升斜率;-Vout2/L下降斜率;-Vout1/L下降斜率。
性能
提高效率的措施包括同步整流、采用脉频调制PFM模式、最大限度降低RDSon功耗和先进的内部启用/禁用策略。
同步整流用于降低二极管D前向电压而产生的功耗(见图1),在二次循环期间,NMOS晶体管短接二极管D,导致功耗降低。
(7) 线圈内的电流可能会逆转是同步整流技术已知的缺点,这会导致功耗增加。STw4141解决了这个难题,方法是当IL=0时,将NMOS晶体管关断,预防线圈内电流回流。STw4141的同步整流方法在中等负载条件下极大地提高了效率。
在负载极低时,通过进入PFM模式,效率得到进一步提高。在PFM模式下,功率转换不再与内置振荡 器同步,而是根据需求量向输出端传送电能。功率级换向频率最小化,再加上禁用PFM模式下无用的内部振荡器,使STw4141变得更加省电,如图5所示。 STw4141能够自动选择模式,无需用户介入即可实现最佳的效率。
PFM模式的使用方式取决于芯片的应用场合。因为在PFM模式下功率转换是异步的,电磁辐射可能会 在应用敏感的频率下产生频谱噪声。如果存在这种制约因素,那么可以使用两种方法进行配置:PFM模式完全禁用;用户可以覆盖自动开关,强制进入工作模式。 设计人员利用覆盖功能可以设计一个既节能省电又无频谱干扰的电源系统。在待机模式下,任务时段性完成95%过程的应用处理器是这种系统的一个实例,因为这 种处理器还必须在待机模式下保存数据,所以可以用待机模式供电。在收到处理器唤醒信号前几微秒内,芯片被强制进入脉宽调制模式(PWM),并且保持这种模 式一直到高级系统使处理器返回到睡眠模式为止。
典型应用
导致STw4141降低尺寸及成本的最重要因素是只需一个外部线圈,而普通电源则需要两个。图6所 示是推荐的外部组件布局,这是一块为完整应用设计的面积仅为7 x 8 mm的电路板。在这个设计中,线圈是体积最大的组件,同时节省电路板空间也正是这个组件,其次, BGA封装也在节省电路板空间上发挥了重要作用。
STn8810多媒体应用处理器 (NOMADIK)以及STV0984 + VS6750图像处理器和200万像素CMOS图像传感器的共性是,数字核心电压(VCORE)与I/O引脚电源电压(VIO)的要求不同。图7是一个 CMOS相机应用的电路示意图,VCORE电压(1.2 V)供给数字核心STV0984,而VIO电压(1.8V)用于供给VS6750以及STV0984的I/O结构。这样的布局设计使得应用电路板的尺寸极 其紧凑。
全球低地球轨道(LEO)卫星市场正迎来爆发式增长,北美、亚洲和欧洲需求激增。私营航天企业主导的新太空产业链,将低成本卫星通信与遥感服务变为现实。面对严苛的太空辐射环境与严苛的成本控制要求,传统电源方案捉襟见肘。意法半导体凭借深厚技术积累,推出专为LEO设计的LEOPOL1点负载降压转换器,为卫星供电系统树立全新标杆。
近日,中微公司(中微半导体设备股份有限公司)发布了2025年半年度业绩预告,展示出强劲的增长势头。作为中国半导体设备制造的领军企业,公司预计上半年归属于母公司所有者的净利润将达到6.8亿元至7.3亿元,同比增长31.61%至41.28%,延续了其长期以来的高速增长态势。这一表现得益于公司在核心业务领域的持续创新和市场拓展,凸显了其在全球半导体产业链中的竞争力。
2025年7月17日,RISC-V中国峰会在上海张江盛大开幕。工业和信息化部电子信息司副司长史惠康在致辞中强调,万物互联时代正催生以开源指令集RISC-V为核心、结合开源操作系统的技术架构变革。他指出,中国将把握这一历史性机遇,全力打造具有国际竞争力的RISC-V生态高地。数据显示,2024年全球RISC-V芯片出货量突破数百亿颗,中国市场贡献超半数份额,凸显开放模式的活力与本土市场潜力。
随着全球家电能效标准持续升级,高效功率半导体成为突破设计瓶颈的关键。意法半导体(ST)近期推出的 STGWA30IH160DF2 IGBT ,以其1600V高耐压与卓越热管理特性,为电磁炉、微波炉等大功率家电提供了全新的高性价比解决方案。
中国台湾地区芯片代工龙头企业台积电在最新财报说明会上宣布,将2023年全年营收增长预期上调至30%,符合市场分析师普遍预测。董事长魏哲家强调,客户订单能见度保持高位,公司正全力满足全球客户激增的AI芯片需求。