发布时间：2013-03-6 阅读量：702 来源: 我爱方案网 作者:
安捷伦科技公司日前宣布推出先进设计系统（ADS）射频和微波 EDA 平台的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具备新的功能，提升了所支持应用的设计效率，并为 GaAs、GaN 和硅基材料射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
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大大地提高了设计效率
ADS 2012 提供多个用户界面增强特性，旨在改善工程师的设计效率。可驻留窗口支持用户快速访问常用的对话框，例如元器件信息和版图层可视化窗口。新增的元器件搜索和网络节点浏览功能可让用户轻松地完成大型设计。新的工程归档/解档实用程序可使设计和工程项目共享变得更简单。
更新了两个重要的ADS射频设计指南。ADS 负载牵引设计指南现在包括失配仿真，给出器件或放大器对负载电压驻波比或相位角的灵敏度。放大器设计指南增添了多项更新，可轻松查看在指定输出功率或增益压缩上的放大器性能。
较于先前的突破进展
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ADS 2012 在射频功率放大器设计上的其它突破性进展包括：
• 通过与 EMPro 整合，可将三维电磁场元器件另存为可以在ADS中直接使用的数据库单元。
• 全新的集成在 ADS设计环境中的电热仿真器以全三维热求解为基础，结合了动态温度效应，提高了“热感知”电路仿真结果的精度。
• 多芯片模块的电磁场仿真设置及不同技术的有限元方法仿真，可以分析典型的多芯片功率放大器模块中的芯片和互连线、键合线以及倒装芯片焊球之间的电磁场耦合效应。
• 提供对新型神经元网络 NeuroFET 模型的支持（通过 Agilent IC-CAP 器件建模软件提取），获得更精确的场效应管建模和仿真结果（例如大功率 GaN FET 放大器）。
在全球半导体产业加速迭代的背景下，三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报，这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作，预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元，更将直接影响下一代高带宽存储器（HBM4）的市场格局。
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半导体行业风向标企业亚德诺（ADI）最新财报引发市场深度博弈。尽管公司第三财季营收预期上修至27.5亿美元，显著超出市场共识，但受关税政策驱动的汽车电子产品需求透支风险显露，致使股价单日重挫5%。这一背离现象揭示了当前半导体产业面临的复杂生态：在供应链重构与政策扰动交织下，短期业绩爆发与长期可持续增长之间的矛盾日益凸显。
根据国际权威市场研究机构Canalys于5月23日发布的调研报告，2025年第一季度全球可穿戴腕带设备市场呈现显著增长态势，总出货量达到4660万台，较去年同期增长13%。这一数据表明，消费者对健康监测、运动管理及智能互联设备的需求持续升温，行业竞争格局亦同步加速重构。
2025年5月23日，全球领先的半导体与电子元器件代理商贸泽电子（Mouser Electronics）宣布，正式开售Raspberry Pi新一代RP2350微控制器。作为RP2040的迭代升级产品，RP2350凭借双核异构架构（Arm Cortex-M33 + RISC-V）、硬件级安全防护及工业级性价比，重新定义了中高端嵌入式开发场景的技术边界。该芯片通过多架构动态切换、可编程I/O扩展及4MB片上存储等创新设计，解决了传统微控制器在实时响应能力、跨生态兼容性与安全成本矛盾上的核心痛点，为工业自动化、消费电子及边缘AI设备提供了更具竞争力的底层硬件方案。
