发布时间：2013-03-4 阅读量：666 来源: 我爱方案网 作者:
在2013年1月16～18日于东京有明国际会展中心举行的“日本第3届LED及有机EL照明展”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓(β-Ga2O3)的白色LED。该LED由在β型-a2O3基板上制作的GaN类半导体蓝色LED芯片上组合使用荧光体。其不同点在于，与使用在蓝宝石基板上制作的普通蓝色LED芯片时相比，具有容易提高光输出功率的特点。
田村制作所与光波此次在会场上展出了分别使用0.3mm见方和2mm见方蓝色LED芯片的两种白色LED。0.3mm见方产品为400mA驱动型，2mm见方产品为6A驱动型。2mm见方产品的亮度为500lm左右，“目标是提高至蓝宝石基板型产品难以实现的2000～3000lm”。
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由于蓝宝石基板具有绝缘性，因此蓝宝石基板型产品必须采用将阳极电极和阴极电极横向配置的横向结构。而β-Ga2O3基板具备高导电性，因此可采用在LED芯片的表面和背面分别形成阳极和阴极的垂直结构。垂直结构与横向结构相比，不仅能降低元件电阻及热阻，而且还容易使电流分布均匀化。元件电阻及热阻越小，LED芯片产生的热量就越少，因此适合大电流驱动的情况。
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虽然GaN基板也适合用来制作高功率LED，但“采用β-Ga2O3基板的成本更低”。目前，GaN基板使用名为HVPE法的气相生长法来制造，而β-Ga2O3基板采用的是溶液生长法。理论上来说，溶液生长法更适于实现基板的品质提高及大尺寸化。
目前已实现产品化的β-Ga2O3基板的口径为2英寸。田村制作所计划在2014年试制4英寸产品，并于2015年正式推出产品，此外还将挑战开发口径为6英寸的产品。
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近期全球DRAM市场经历剧烈波动，DDR4现货价格出现近十年最大涨幅。2025年6月13日，DDR4 8Gb（512M×16）单日暴涨7.99%，16Gb（1G×16）涨幅达7.9%；截至6月17日，DDR4 16Gb现货价再涨6.32%至9.25美元，4Gb规格更单日飙涨8.77%。近三个交易日累计涨幅突破20%，二季度以来部分规格涨幅超130%。这一异常波动直接触发产业链抢货潮，深圳华强北经销商反馈“每日报价跳涨，现货一票难求”。
根据最新行业报道，英特尔公司正计划在其核心制造业务部门实施大规模裁员，预计削减工厂工人的比例高达20%。这一举措旨在缓解公司当前的财务压力和市场挑战，反映出芯片行业竞争的日益激烈。英特尔制造副总裁纳加·钱德拉塞卡兰在近期致员工的内部信中强调，裁员是应对承受能力不足和财务状况的必要手段，尽管这将带来不可避免的痛苦。公司目标是在全球范围内裁减15%至20%的工厂工人，主要裁减动作将于7月启动，相关通知已在上周正式下发。
Teledyne e2v最新推出的三款航天级工业CMOS传感器（Ruby 1.3M USVEmerald Gen2 12M USVEmerald 67M USV），分辨率覆盖130万至6700万像素，均通过Delta空间认证及辐射测试。这些传感器在法国格勒诺布尔和西班牙塞维利亚设计制造，专为极端太空环境优化，适用于地球观测卫星恒星敏感器宇航服摄像机及深空探测设备。产品提供U1（类欧空局ESCC9020标准）和U3（NASA Class 3）两种航天级筛选流程，并附辐射测试报告与批次认证。
