发布时间：2013-03-4 阅读量：794 来源: 我爱方案网 作者:
推动高能效创新的安森美半导体推出提升轻载能效的3安培(A)降压DC-DC转换器集成电路(IC)——LV5980MC。这器件能够降低消费电子产品设计中的待机模式能耗。
LV5980MC将4.5伏(V)至23 V的输入电压稳压降为低至1.235 V的输出电压。这器件集成了低能耗省电功能(工作电流为63微安(μA)，支持脉宽调制(PWM)及脉频调制(PFM))，在典型应用中输出电流为2毫安(mA)时能提供80%的能效。这器件还提供370千赫兹(kHz)内部固定开关频率、100毫欧(mΩ)高边MOSFET，且能够提供达3.0 A的负载电流。
安森美半导体的三洋LSI产品分部总监中岛宪一说：“家庭或办公室消费电子产品都要求省电，其中一项关键省电要求就是降低待机模式下的能耗。LV5980MC集成了省电功能，可提升轻载时的电源转换效率，提供有效及高能效的方案。”
封装及价格
LV5980MC采用SOIC-8封装，每2,500片批量的预算单价为0.7美元。
近日，英特尔正式完成旗下RealSense 3D摄像头业务的分拆工作，并成功获得5000万美元战略融资。此次交易由英特尔资本和联发科创新基金共同注资完成，标志着英特尔新任CEO陈立武推动的"核心业务聚焦战略"再进一步。作为英特尔瘦身计划的重要环节，分拆非核心资产已成为提升整体运营效率的关键举措。
在嵌入式系统设计中，8MHz和24MHz晶体振荡器是两种与微控制器（MCU）配合工作的常见频率源。然而，这两种频率的无源晶体振荡器在绝大多数应用场景下并不能直接互换使用。这种非通用性是由它们在电路中的核心作用以及系统对频率精度的严格要求所决定的，具体体现在以下几个方面：
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随着全球存储产业链产能调控深化，2025年下半年NAND Flash市场正式进入上行周期。据集邦咨询、TrendForce等机构监测数据显示，第三季度全品类NAND Flash合约价涨幅已突破预期阈值。其中256Gb-512Gb中低密度芯片价格环比上涨15%-18%，而1Tb以上高容量产品受企业级长协订单缓冲，涨幅维持在5%-8%区间。此番价格跃升标志着行业历时两年的下行周期终结，供给侧改革成效显著。
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