发布时间:2013-02-21 阅读量:729 来源: 我爱方案网 作者:
晶心科技 (Andes Technology Corporation) 继先前针对低阶市场推出AndeSight 2.0.0 MCU版整合开发环境后, 近日内更针对中高阶市场推出2.0.0 STD 版本。架构于Eclipse CDT 8.0平台全新的使用者界面设计、提供深度定制化又不影响开发环境整体性的Chip Profile、Flash ISP与Plugin API功能,支持AndesCore 新的家族成员N1337,并可搭配AndeShape AICE及AICE-MCU除错工具,不仅完整呈现AndeSight 开发环境未来方向,并同时让使用者体验晶心更成熟与因应多样化需求的开发工具。
AndeSight STD版本除了包含AndeSight MCU版本所有的功能之外,并加强多项程序开发环境建立,除错及验证等相关功能。包含了整合虚拟环境AndeESLive 下的快速SoC Simulator及可协助用户在图形界面下建构虚拟SoC的SoC Builder。在程序除错方面,增加了Linux应用软件激活除错与Process附着除错的设定组态。在开发环境建立方面,加强开发环境定制化的多项功能,如Chip Profile, Flash Driver及Plugin API等。Chip Profile可针对特定的开发目标进行项目Template型态设定,以避免开发者重复进行相同开发目标环境设定。经由更改Flash Driver 范例,开发者可使用内建的Flash ISP图形界面来选取对应的Flash刻录程序。透过Plugin API,客户可自行开发专属的程序来存取AndeSight 的资源。全新图形界面的Chip Profile Editor可协助开发者针对个别SoC,将相关的Chip Profile组件,如上述的项目Template及Flash Driver参数设定,加上SoC Register,Memory Map等进行修改并迅速整合成一个新的Chip Profile。
AndeSight 2.0.0 STD提供的开发工具链除了支持原有的AndesCore CPU N8,N9与N10之外并增加AndesCore N13。开发工具链提供AndeStar™ V3/V3m指令集支持,全新的All-C Embedded Programming功能,可让程序设计师更有效率地、在完全不用撰写汇编语言之下完成开发。在RTOS的支持上,新增FreeRTOS 与μC/OS-II RTOS Awareness可辅助开发者进行高阶与可视化RTOS除错。
在除错辅助工具方面,AndeSight 2.0.0 STD除了持续改进现有AICE功能与效率外,并支持2-wire的AndeShape AICE-MCU让客户得以精简SoC接脚,降低SoC成本。AndeShape AICE-MCU支持所有AndesCore 标准除错功能,包括标准硬件断点和单步执行,及更进阶的Debug-on-Reset和Secure Access的安全除错机制。同时,AICE-MCU也提供自动频率校准功能,并且可支持快速的程序下载。AndeShape AICE-MCU在秉持高度开发环境兼容性的原则之下,提供客户低成本设计开发方案的使用利基。
在AndeSight 2.0.0 MCU版的基础下,STD版的整体效率与稳定度显著的提升。STD版并提供SoC软硬件工程师在虚拟SoC平台上开发程序、开发板上做实机验证、及先进除错辅助工具进行系统开发的各项强大功能。此外,STD版持续提供多样系统初始化 (startup) 范例程序,缩短用户熟悉软硬件环境的时间。
晶心科技技术长兼研发副总经理 苏泓萌博士表示,除了提供一流的嵌入式微处理器硅智财AndesCore 外,晶心深感高质量与高效率的开发工具亦是不可缺的一环。易于使用、广泛的硬件、软件及系统层次支持,更高的效率、优化的程序代码是晶心对AndeSight 整合开发环境持续的目标。透过整合客户实际使用的建议、及内部研发团队无数次的讨论与修改,AndeSight 2.0.0 STD 版新增的功能与表现,如Chip Profile Editor与Plugin API所提供的深度定制功能,除了展现晶心对于软件工具不断精进的成果,同时也实现了对客户的承诺。我们希望AndeSight 2.0.0 STD版能帮客户 Seize Today’s Dreams 以 Shape Tomorrow’s Devices。
在全球半导体产业加速迭代的背景下,三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM(1c DRAM)的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报,这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作,预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元,更将直接影响下一代高带宽存储器(HBM4)的市场格局。
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