发布时间：2013-02-1 阅读量：804 来源: 我爱方案网 作者:
富士通半导体（上海）有限公司于日前宣布其获得海思半导体策略ASIC合作伙伴荣誉。富士通的高速IP解决方案和ASIC设计服务，是海思授予其这一荣誉的关键所在。
由于不断升级的处理速度和越来越复杂的调制解调算法，现代通信芯片往往会集成数亿个同时工作的晶体管和超高速的模拟互联IP。 而在这样的芯片上，领先工艺所带来的物理设计收敛会变得越来越困难，片上巨大规模的数字电路对超高速模拟IP的串扰也变得越来越明显，如何在很短的设计周期内去尽可能的定义和优化全芯片的低功耗策略，如何协同考虑封装设计来包容超高的功耗、保证高速接口的信号质量，这些都需要设计者给予深度的考虑和规划。富士通半导体是全球领先的ASIC方案提供商，其在65/55nm、40nm、28nm等先进制程上所积累的丰富的设计经验、极具竞争力的高速IP和高端封装的解决方案不仅能够帮助客户有效的应对这些棘手的问题，更是芯片成功的重要保障。并使其在全球范围内尤其是在网络通信和高端消费电子领域与众多关键客户形成策略合作伙伴关系。
“我们非常荣幸能够成为海思半导体策略ASIC合作伙伴，海思半导体是我们在亚太区最重要的客户之一，富士通也是海思长期以来的ASIC合作伙伴。”富士通半导体亚太区副总裁沈剑虹表示，“海思和富士通都有全球一流的工程设计团队，在双方最近一次高端通信ASIC芯片的合作开发中，双方通力配合，克服了项目中对性能、功耗和交期的挑战，比原定计划提前两周T/O，并一次流片成功。此次的成功合作是双方团队在超高速数字和模拟设计上无缝合作的又一次印证。”
海思半导体总裁何庭波女士表示：“我们对富士通半导体的高速IP解决方案和ASIC设计服务印象深刻。其跨国团队在设计和生产阶段快速而又高水准的交付是使得我们客户在市场上保持领先的重要因素。我们会继续加强与富士通在高端通信领域ASIC上的策略合作关系”。
在全球半导体产业加速迭代的背景下，三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM（1c DRAM）的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报，这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作，预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元，更将直接影响下一代高带宽存储器（HBM4）的市场格局。
全球领先的物联网设备制造商MOKO SMART近期推出基于Nordic Semiconductor新一代nRF54L15 SoC的L03蓝牙6.0信标，标志着低功耗蓝牙（BLE）定位技术进入高精度、长续航的新阶段。该方案集成蓝牙信道探测（Channel Sounding）、多协议兼容性与超低功耗设计，覆盖室内外复杂场景，定位误差率较传统方案降低60%以上，同时续航能力突破10年，为智慧城市、工业4.0等场景提供基础设施支持。
半导体行业风向标企业亚德诺（ADI）最新财报引发市场深度博弈。尽管公司第三财季营收预期上修至27.5亿美元，显著超出市场共识，但受关税政策驱动的汽车电子产品需求透支风险显露，致使股价单日重挫5%。这一背离现象揭示了当前半导体产业面临的复杂生态：在供应链重构与政策扰动交织下，短期业绩爆发与长期可持续增长之间的矛盾日益凸显。
根据国际权威市场研究机构Canalys于5月23日发布的调研报告，2025年第一季度全球可穿戴腕带设备市场呈现显著增长态势，总出货量达到4660万台，较去年同期增长13%。这一数据表明，消费者对健康监测、运动管理及智能互联设备的需求持续升温，行业竞争格局亦同步加速重构。
2025年5月23日，全球领先的半导体与电子元器件代理商贸泽电子（Mouser Electronics）宣布，正式开售Raspberry Pi新一代RP2350微控制器。作为RP2040的迭代升级产品，RP2350凭借双核异构架构（Arm Cortex-M33 + RISC-V）、硬件级安全防护及工业级性价比，重新定义了中高端嵌入式开发场景的技术边界。该芯片通过多架构动态切换、可编程I/O扩展及4MB片上存储等创新设计，解决了传统微控制器在实时响应能力、跨生态兼容性与安全成本矛盾上的核心痛点，为工业自动化、消费电子及边缘AI设备提供了更具竞争力的底层硬件方案。
