发布时间：2013-01-10 阅读量：722 来源: 我爱方案网 作者:
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成功升级Dual Cool封装技术
中压系列产品包括：40V FDMS8320LDC、60V FDMS86500DC、80V FDMS86300DC和100V FDMS86101DC。这些器件属于同步整流MOSFET，适用于DC-DC转换器、通信电源次级端整流和高端服务器/工作站应用。
特色及优势：
FDMS8320LDC （40V）
·最大RDS（ON） = 1.1mΩ（当VGS = 10V，ID = 44A时）；
·最大RDS（ON） = 1.5mΩ（当VGS = 4.5V，ID = 37A时）。
FDMS86500DC （60V）
·最大RDS（ON） = 2.3mΩ（当VGS = 10V，ID = 29A时）；
·最大RDS（ON） = 3.3mΩ（当VGS = 8V，ID = 24A时）。
FDMS86300DC （80V）
·最大RDS（ON） = 3.1mΩ（当VGS = 10V，ID = 24A时）；
·最大RDS（ON） = 4.0mΩ（当VGS = 8V，ID = 21A时）；
·具有业内最低的RDS（ON），在额定电压相同的条件下，与竞争对手的解决方案相比该数值低35%左右。
FDMS86101DC （100V）
最大RDS（ON） = 7.5mΩ（当VGS = 10V，ID = 14.5A时） 最大RDS（ON） = 12mΩ（当VGS = 6V，ID = 11.5A时）。
日本政府支持的半导体企业Rapidus于7月18日宣布，已成功试产国内首个2nm晶体管，标志着该国在先进芯片制造领域取得关键突破。这一进展是日本耗资5万亿日元（约合340亿美元）半导体复兴计划的重要里程碑，旨在重塑其在全球芯片产业链中的竞争力。
在2025年RISC-V中国峰会的“高性能计算分论坛”上，Andes晶心科技CEO林志明正式发布了公司最新一代64位RISC-V处理器IP——AX66。该产品基于RISC-V国际基金会最新批准的RVA23 Profile标准，专为高性能计算（HPC）、AI加速及边缘计算等场景优化，标志着RISC-V生态在高性能计算领域的进一步成熟。
随着电子设备复杂度的提升和产品开发周期的缩短，电磁兼容性（EMC）测试已成为制造商面临的关键挑战。传统EMI测量方法效率低下，难以捕捉瞬态干扰信号，导致测试周期延长、成本增加。是德科技（Keysight Technologies）推出的新一代PXE电磁干扰（EMI）测量接收机，通过突破性的1 GHz实时无间隙扫描技术，将测试速度提升3倍，显著优化了EMC认证流程，为工程师提供了更高效、精准的测试解决方案。
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随着汽车电子化程度不断提高，高边驱动器（High-Side Driver）在车身控制模块（BCM）、LED照明、电机驱动等应用中发挥着关键作用。圣邦微电子（SG Micro）推出的SGM42203Q是一款专为汽车电子设计的24V双通道高边驱动器，具备模拟电流检测、高可靠性及智能保护功能，可广泛应用于电阻性、电容性和电感性负载驱动。本文将深入解析该产品的技术优势、市场竞争力及典型应用场景。
