内置700V高压MOSFET的原边控制开关电源

发布时间：2013-01-9 阅读量：913 来源: 我爱方案网作者:

【导读】内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851采用了原边调整（PSR）技术，通过检测变压器初级线圈的电流和辅助线圈的电压，间接控制系统的输出电压/电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。

继SD484X系列绿色电源控制器成功推出之后，杭州士兰微电子公司推出内置700伏高压MOSFET的原边控制、带线损补偿和峰值电流补偿功能的高端无光耦开关电源控制器——SD4851。它采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率，广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。

士兰微电子内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851采用了原边调整（PSR）技术，通过检测变压器初级线圈的电流和辅助线圈的电压，间接控制系统的输出电压/电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。该电路采用了士兰微电子自主知识产权的线损补偿专利技术，可以根据电缆的电阻大小调整补偿电阻，在不同负载电流的条件下，自动调节补偿电压，以保证不同负载电流的条件下的输出端电压相同；峰值电流补偿功能用来保证在不同的交流电压输入条件下，输出恒流值相同。

目前的SD4851电路可提供3.5W输出功率（5V /700mA），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28线缆），待机功耗小于100mW，输出电压的负载调整率优于±4.0%，输出电压的输入线电压调整率优于±0.6%，整机对空气的ESD能力大于±15KeV。通过调整限流电阻，SD4851可以提供5W左右的输出功率。在选择更低导通电阻的高压MOSFET条件下，电路的输出功率范围可达到6W~10W。

士兰微电子内置高压MOSFET的原边控制开关电源SD4851基于士兰微电子自行研发的0.8微米BiCMOS/BCD工艺制造，采用了内置高压MOSFET的DIP-8A封装形式，具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。

此外，采用SD4851设计整机系统，可以省去光耦、次级反馈控制、环路补偿，仅需极少的外围元器件即可构成完整的电源系统，大幅节省了系统耗电并缩小了电路板体积，有利于用户精简设计布局，降低开发和制造成本。

小型充电设备今后的发展趋势是更低的低待机功耗和更高的能量转换效率，士兰微电子将持续在该领域投入研发力量，推出新品。预计2009年下半年将推出内置高压启动模块、满足能源之星2.0版本、LEVEL 5规格的电路，待机功耗小于30mW，平均效率达到70%。

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