导读：下一代智能手机的竞争焦点将集中于LTE（4G），而LTE也成为手机芯片大厂逐鹿的新战场。在高通、ST-Ericsson之后，NVIDIA、博通、展讯也宣布跨入LTE芯片市场，加上联发科明年的第一代产品亮相，LTE手机平台大战将一触即发。本文进行LTE基带平台的盘点和展望。
LTE手机基带芯片主流是28nm单芯片方案
“多模多频”已经成为产业共识，支持多模多频的3G/LTE终端更加符合用户对无线上网的使用习惯及运营商的发展需求。在这一点上，运营商、终端厂商和 芯片厂商的发展路线图一致。而中国政府和运营商要求国内的TD-LTE手机必须兼容TD-SCDMA，也就是说未来国内商用的TD-LTE手机要支持5种 模式：GSM、UMTS、TD-SCDMA、FDD-LTE和TD-LTE，甚至还会有CDMA1x。与单模LTE产品相比， 多模在设计上，除了需要处理好高集成度带来的复杂问题，还需要解决好产品的功耗、性价比和稳定性问题。
解决手机多模有单芯片和双芯片两种方案。单芯片就是指把所有的制式都集中在一颗芯片上，最有代表性的芯片就是高通的MSM8960，号称全球模式,支持 TD- LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/UMTS/GSM/EVDO/CDMA1*等。双芯片方案就是采用一颗3G及3G以下兼容芯片，外加一颗 4GLTE芯片，这个方案的好处是可以把LTE芯片也用40nm生产，但成本非常昂贵，面对单芯片方案没有任何竞争力。而另一方面，28nm制程，体积 小，功耗低，成本要比制造40nm的同规格产品便宜很多。因此未来28nm及以下产品将是手机基带芯片的主流配置。而LTE基带供应商的竞争瓶颈就是谁拥 有足够的28nm产能。
目前高通(Qualcomm)、意法爱立信(ST-Ericsson)、辉达(NVIDIA)等LTE芯片商都拥有LTE基频和应用处理器的开发技术，其 中高通与意法爱立信整合基频与应用处理器的SoC已问世，辉达则可望于2013年发布SoC方案。不仅是高通、意法爱立信、辉达LTE芯片业者正摩拳擦掌 开发SoC方案，联发科、展讯、博通(Broadcom)等3G基频与应用处理器供应商，也瞄准SoC为LTE市场大势所趋，产品策略正戮力朝整合LTE 基频和应用处理器的SoC推进。LTE手机基带芯片的研发进度目前受制于28nm的产能瓶颈和TDSCDMA与TD-LTE的研发难度，预计要到2014 年多个公司的基带芯片方案才能量产上市。
目前LTE芯片霸主——高通LTE基带平台盘点
高通是是业内最早提出“多模”理念的芯片厂商，也是业界首个推出3G/LTE多模单芯片解决方案的厂商，同时，高通公司所有LTE芯片组均同时支持TDD和FDD制式。
高通Krait系列芯片一共有三种不同型号可选，分别是单核MSM8930、双核MSM8960以及四核MSM8974，新版Krait芯片都将整合对3G与LTE的支持。
主打千元机市场的高通MSM8x30处理器系列
高通骁龙S4 Plus MSM8x30处理器包括MSM8930、MSM8230以及MSM8630，采用先进的28nm工艺制造，采用双Krait构架，处理器频率有 1.2GHz以及1.4GHz等版本，支持TD-SCDMA、TD-LTE、LTE-FD、CDMA 1x/1xADV/DoRA/DorB、UMTS等网络。其中双核CPU S4 MSM8930，是全球首款集成LTE调制解调器的单芯片解决方案，支持LTE TDD和FDD-LTE,UMTS、CDMA和TD-SCDMA 制式，面向中国三个运营商。
相关情况，请参考：
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28nm四核CPU领衔，高通骁龙S4全新处理器S4 MSM8960
骁龙S4 MSM8960集成了采用28纳米工艺的Krait CPU和Adreno 225 GPU,同时集成了支持所有2G/3G/LTE制式的高通调制解调方案。合作伙伴基于此处理器，可以开发出满足全球所有运营商需求的智能手机，如三星 Galaxy S III由AT&T、Sprint、T-Mobile、Verizon Wireless和U.S. Cellular同时发售，基于骁龙S4 MSM8960，同时支持五家运营商的LTE、HSPA+双载波等网络。
高通规格最强的四核心MSM8974（未发布）
根据国外媒体曝光的高通Snapdragon处理器产品计划，2013年第一季度开始，高通会推出规格最强的MSM8974处理器。它将采用Krait四 核架构，28nm制程工艺，主频达到惊人的 2GHz至2.5GHz，拥有2MB的二级缓存，支持双通道的667/800MHz DDR3双通道内存。MSM8974将采用Adreno 320图形芯片，支持1080p@60fps的高清视频。
业界首款支持HSPA+10的高通第三代LTE芯片组
高通下一代Gobi™调制解调器芯片组MDM8225™、 MDM9225™和MDM9625™是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移动宽带标准LTE增强型的芯片组。MDM9225和MDM9625芯片 组也将是首批支持LTE载波聚合和数据传输速率高达150 Mbps的真正LTE Category 4的芯片组，使网络运营商可以提升其LTE服务区域的宽带速度。这几款芯片组采用28纳米制造工艺，在性能和功耗方面均有显著提升，并将支持多种移动宽带 技术，为智能手机、平板电脑、超便携笔记本电脑、便携式无线热点设备、数据收发器和客户前提设备提供同类最佳的移动宽带体验。
意法爱立信是全球少数几家能在一个芯片组中集成多种LTE技术的芯片厂商之一，已成功开发出同时支持TD-LTE和FDD-LTE技术的芯片。
下页内容：ST-Ericsson、联芯等厂家LTE基带平台盘点
STE下一代高集成度多模LTE平台方案L8540
NovaThorTM L8540是一款支持LTE/HSPA+/TD-HSPA的整合型智能手机平台，其应用处理器和无线宽带modem整合在一颗芯片上，采用28nm工艺制 程，基于Cortex-A9内核主频最高可达1.85GHz；支持LTE/HSPA/TD-SCDMA/GSM多达8个频段；内嵌一颗PowerVR SGX544图形处理单元，并配有双通道LPDDR2内存。同时集成了LTE网络、无线Wi-Fi、蓝牙、调频收音机、NFC、GPS等诸多功能；由于采 用了更先进的28nm工艺制程，加上全套整合式的方案，能够令NovaThor L8540的功耗比现有处理器降低至少10%。得益于其超低的电压运行模式，与目前市场上其他平台相比，NovaThor L8540能够将智能手机的续航时间延长30%。相关阅读：
高度整合的新款LTE 智能手机平台：LTE NovaThor
Marvell多模TD-LTE单芯片基带调制解调器PXA1802
PXA1802 是单芯片基带调制解调器，五模合一，可支持TDD和FDD LTE制式，支持GSM、EDGE、WCDMA、TD-HSPA+、HSPA+等多模，同时集成LPDDR1。芯片支持下行150Mbps，上行 50Mbps；支持双流波束成形，硬件支持祖冲之加密算法，支持2G/3G和 LTE的双待双连接；已完成并通过国内主要的IOT测试，体现出芯片和系统具备良好的稳定性。
联芯科技支持ZUC祖冲之算法的LTE多模基带芯片
联芯科技TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD双模基带芯片LC1761L两款芯片为目前业界首款同时支持硬件加速ZUC祖冲之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE终端芯片，能率先满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯片的需求。LC1761，采用40nm工艺，可实现下行 150Mbps，上行50Mbps的高效数据传输。LC1761L是仅支持TD-LTE/LTE FDD的纯LTE Modem芯片，可满足市场对于数据类终端及手持类智能终端的定制需求。
展讯单芯片多模TD-LTE基带调制解调器SC9610
作为展讯的第一款TD-LTE基带调制解调器，SC9610 TD-LTE/TD-SCDMA/EDGE/GPRS/GSM单芯片基带调制解调器采用40纳米 CMOS工艺， 在单芯片内集成了多模通信标准，包括多频段的 TD- LTE和TD – SCDMA，以及四频 EDGE/GSM/GPRS。能达到 100Mbps 下行速度和 50Mbps上行速度，支持5、10、15及20MHz 信道带宽和 2x2 MIMO。
海思业界首款支持LTERealse9和Category4的多模终端芯片Balong710
Balong710在LTEFDD模式下能够提供150Mbit/s的下行速率和50Mbit/s的上行速率；在 TD-LTE工作模式下，能够提供最高112Mbit/s的下行速率和最高30Mbit/s的上行速率，特有的双流BeamForming技术能够显著提 升小区平均吞吐量和边缘用户吞吐量；在 WCDMA的DC＋MIMO工作模式下能够提供84Mbit/s的下行速率和23Mbit/s的上行速率。[member]
