士兰推出内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器

发布时间:2012-12-30 阅读量:686 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】:士兰SD6835内置了极限输出功率补偿电路,可以平衡宽电压范围的极限输出功率;也内置斜坡补偿电路和CS异常过流保护,分别可以适应更宽的变压器应用和改善短路反峰值。

应用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM的AC/DC控制器SD6835。该芯片符合能源之星2.0标准,具有低功耗、低启动电流和较低的EMI,输出电压和极限输出功率均可调节等特点。目前该新品可以提供的功率范围为:宽电压范围情况下封闭式适配器20W,开放式电源24W,窄电压范围情况下封闭式适配器22W,开放式电源26W。

相比于士兰微电子前期推出的产品,SD6835内置了极限输出功率补偿电路,可以平衡宽电压范围的极限输出功率;也内置斜坡补偿电路和CS异常过流保护,分别可以适应更宽的变压器应用和改善短路反峰值。

SD6835采用了多项士兰微电子自主研发的专利技术,如交错式频率抖动技术和峰值电流补偿技术等。其中交错式频率抖动技术可以使得芯片振荡频率不断变化,以减小芯片在某个单一频率的对外辐射,并使振荡频率在一个很小的范围内变动,从而可以有效地降低EMI,简化EMI设计。峰值电流补偿技术可以抑制峰值电流的过冲,还可以在电路初始化后有效地减小芯片启动时变压器的应力,实现软启动功能。这些专利技术的应用使得该产品在市场同类产品的竞争中占据优势。

同时,该新品具有较好的性能特性,可以根据输出的负荷情况调节开关频率(25~67KHz)和峰值电流,可以通过轻负载的降频模式和峰值电流控制功能提供更高的效率,也可以通过让芯片在待机模式下进入打嗝模式降低芯片的待机功耗。

此外,SD6835内部集成了各种异常状态保护功能,以保证芯片正常的工作状态。包括欠压锁定,过压保护,过载保护,过温保护和脉冲前沿消隐功能。在芯片发生保护以后,芯片可以不断自动重启,直到系统正常为止。另外,芯片内置CS异常过流保护,当CS超过特定值时开关不输出,低于此值时,下一个周期即可开关解锁。

 

相关资讯
新能源汽车电流检测方案对比:国产纳芯微如何挑战国际巨头

在新能源汽车、可再生能源、工业自动化等新兴产业蓬勃发展的今天,精确可靠的电流检测技术扮演着至关重要的角色。电流检测放大器作为核心信号链元件,其性能优劣直接影响系统效率和安全性。以德州仪器(TI)、亚德诺半导体(ADI)等为代表的国际厂商长期占据市场主导地位。近年来,以纳芯微、圣邦微等为首的国内半导体企业持续发力,推出了一系列具有国际竞争力的车规级与工业级电流检测放大器产品。本文将聚焦纳芯微NSCSA21x系列、德州仪器INA240(车规级)及圣邦微SGM8199系列三大解决方案,进行全方位深度对比与剖析。

英特尔战略收缩:关闭汽车架构业务,多部门裁员加速转型

6月24日,英特尔宣布将逐步关停客户端计算集团(CCG)下属的汽车架构业务,并裁撤该部门"大部分"员工。公司声明称,此举旨在聚焦核心数据中心与PC产品线,同时承诺保障现有汽车客户平稳过渡。尽管英特尔未公开该业务财务数据,但其官网显示全球超5000万辆汽车搭载其处理器,应用于电动化、车载信息及性能优化领域。

三星Galaxy S26系列或全系升级16GB内存,AI浪潮驱动手机硬件革新

三星电子在Galaxy S24系列因基础版内存配置引发的争议后,迅速调整产品策略:2025年上市的S25系列将全系标配12GB RAM,其中Ultra版本在韩国、中国大陆及中国台湾地区独供16GB内存。这一决策被业界视为应对端侧AI算力需求的战略布局。

面向经济型汽车座舱的耐高温IMU解决方案:TDK IAM-20680HV技术解析与应用前景​

在智能座舱快速普及的浪潮中,如何平衡性能与成本成为产业核心课题。TDK集团旗下InvenSense推出的IAM-20680HV 6轴MEMS惯性测量单元,首次在保证AEC-Q100 Grade 2认证的前提下,将工作温度上限扩展至125℃(性能保证至105℃),同时通过创新设计显著降低系统成本,为经济型车型的智能化转型提供关键技术支持。

微软再掀裁员潮!Xbox部门第四轮重组箭在弦上​

据知情人士向彭博社透露,微软公司(Microsoft Corp.)计划于下周对其旗下Xbox游戏部门实施新一轮大规模裁员。此次裁员将是该部门在过去18个月内经历的第四轮重大人员调整,标志着在完成对游戏巨头动视暴雪(Activision Blizzard)的天价收购后,微软正持续推动Xbox业务的结构性重组与成本管控。