发布时间:2012-12-21 阅读量:711 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】占据智能手机成本第二的显示屏竞争不断,OLED和TFT究竟谁能一统天下,谁都难以断言。OLED效果优于TFT,但良率低,价格高,就连想要大规模普及OLED的三星也望而却步,只在高端机型采用。究竟智能手机屏未来发展如何,来自UBM Techinsights的拆解专家为我们做了详细评估。
图为 UBM Techinsights终端产品分析师孙嗣杰在第四届智能手机设计工作坊上激情演讲
在 UBM Techinsigh拆解的119部手机中88%的都采用了TFT材质,只有12%的高端手机采用了OLED材质的显示屏。对于显示屏厂商。三星,LG Display和Japan Display Inc分别以26%,13%,11%位居前三。 UBM Techinsigh预测2013年5英寸的手机会成为主流。
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在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。