在2G/3G产品上快速增加4G LTE的富士通收发器

发布时间:2012-11-19 阅读量:693 来源: 我爱方案网 作者:

导读:LTE普遍被业界看好,将成4G技术的主流。如何快速为既有的2G/3G解决方案追加强有力的LTE能力呢? 富士通的优化收发器MB86L13A可加快这些产品的上市时间,快速地在既有2G/3G方案上增补多频的LTE功能。
   
 富士通半导体(上海)有限公司面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A芯片在延续富士通半导体第一代多模多频LTE射频收发器的特性之外,可帮助现有的手机客户在其2G/3G产品基础上快速增加4G LTE功能,实现最快速的4G手机产品(同时支持2G/3G)研发。
   
MB86L13A支持FDD-LTE和TDD-LTE两种4G制式,可以帮助无线终端公司开发功能强大的LTE终端(手机,数据卡,平板电脑等)。该芯片采用富士通开拓的RFIC设计架构,无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器,可覆盖700 MHz~2700 MHz的频谱。其多个发送、接收和分级端口,可为漫游所需的映射端口和基带提供极大的灵活性。该收发器使用公开标准MIPI DigRF D4G V1.0基带接口,支持全球的FDD频段1-21, 23-25和TDD频段33-41。此外,MB86L13A还能支持高达20MHz的全部LTE带宽。

富士通半导体亚太区市场副总裁郑国威先生表示:“目前,受业界普遍看好的LTE将成为4G技术的主流。许多基带供应商都在为既有的2G/3G解决方案追加强有力的LTE能力,而MB86L13A可加快这些产品的上市时间,快速地在既有2G/3G方案上增补多频的LTE功能。”

此前,富士通已经提供2G/3G/4G多模多频(MMMB)单芯片收发器(如L12A、L11A等)。2012年4月推出的MB86L13A多频LTE收发器在电流损耗和RF参数方面的性能具有世界水平。同时,其搭载的高级编程接口(API)不但缩短了工厂量产校准时间,还提供灵活变通的端口映射,并追加了定制关键绩效指标(KPIs)的监控。

看LTE智能手机的差异化创新设计—— 2013年将进入LTE智能手机开发高峰期,谁家的LTE平台将带给您更多的差异化卖点和更快的上市周期?eMMC或相变存储器会成为LTE智能手机的主 流存储解决方案吗?独立的分立和PMU电源管理解决方案供应商在LTE智能手机设计时代的竞争力会否降低?LTE智能能手机的设计生产将带来哪些测试挑 战?12月15日第四届智能手机设计工作坊将使得您可亲眼亲耳从ST Ericsson,Micron,Torex和Lecroy等主流供应商专家和主流手机设计方案公司的同行那里,寻找到最准确的答案。工 作坊报名热线已开通,点击抢票吧http://www.cntronics.com/public/seminar/content/sid/68
[member]

 

另外,MB86L13A具有多个发送、接收和分级端口,可为漫游所需的映射端口和基带提供极大的灵活性。该收发器使用公开标准MIPI DigRF D4G V1.0基带接口,支持全球的FDD频段1-21, 23-25和TDD频段33-41。MB86L13A还能支持高达20MHz的全部LTE带宽。在今年的路线图上,未来的收发器还将包括3GPP Release 10波载聚合兼容的单RFIC解决方案。

富士通MB86Lxxx家族

富士通MB86Lxxx家族收发器由多个基带供应商部署到世界各地,迄今为止出库量已逾数百万。

富士通于2009年开始为2G/3G网络提供业内首创的SAW-less收发器MB86L01A。2010年,富士通发布了业内首个3G和LTE SAW-less收发器MB86L10A,成功地嵌入软件保护器、平板电脑和多模2G/3G/4G智能手机。 MB86L12A是富士通第三代2G/3G/4G SAW-less收发器,支持已升级的MIPI DigRF标准,生产准备已经就绪。 而今年3月,富士通发布MB86L11A 2G/3G/4G多模多频SAW-less收发器。该收发器具有多种先进的发送特性,包括强化功率控制、包络跟踪和天线谐调。

此次推出的MB86L13A LTE收发器将进一步丰富富士通收发器家族的产品系列,为现存的2G/3G平台供应商提供支持,也为众多设备制造商提供快速上市的解决方案。

郑国威先生表示:“富士通MB86LXXX家族收发器具有诸多先进特性,功耗低、占位面积小、API灵活变通、可降低设备的总成本并加快新产品的上市时间。富士通也将坚定不移的在LTE领域继续努力前进,面对全球市场不断推出极具竞争力和高价值的RF产品及方案,最大化的满足客户需求。”
相关资讯
半导体产业升级战:三星电子新一代1c DRAM量产布局解析

在全球半导体产业加速迭代的背景下,三星电子日前披露了其第六代10纳米级DRAM(1c DRAM)的产能规划方案。根据产业研究机构TechInsights于2023年8月22日发布的行业简报,这家韩国科技巨头正在同步推进华城厂区和平泽P4基地的设备升级工作,预计将于2023年第四季度形成规模化量产能力。这项技术的突破不仅标志着存储芯片制程进入新纪元,更将直接影响下一代高带宽存储器(HBM4)的市场格局。

蓝牙信道探测技术落地:MOKO联手Nordic破解室内定位三大痛点

全球领先的物联网设备制造商MOKO SMART近期推出基于Nordic Semiconductor新一代nRF54L15 SoC的L03蓝牙6.0信标,标志着低功耗蓝牙(BLE)定位技术进入高精度、长续航的新阶段。该方案集成蓝牙信道探测(Channel Sounding)、多协议兼容性与超低功耗设计,覆盖室内外复杂场景,定位误差率较传统方案降低60%以上,同时续航能力突破10年,为智慧城市、工业4.0等场景提供基础设施支持。

财报季再现黑天鹅!ADI营收超预期为何股价暴跌5%?

半导体行业风向标企业亚德诺(ADI)最新财报引发市场深度博弈。尽管公司第三财季营收预期上修至27.5亿美元,显著超出市场共识,但受关税政策驱动的汽车电子产品需求透支风险显露,致使股价单日重挫5%。这一背离现象揭示了当前半导体产业面临的复杂生态:在供应链重构与政策扰动交织下,短期业绩爆发与长期可持续增长之间的矛盾日益凸显。

全球可穿戴腕带市场首季激增13%,生态服务成决胜关键

根据国际权威市场研究机构Canalys于5月23日发布的调研报告,2025年第一季度全球可穿戴腕带设备市场呈现显著增长态势,总出货量达到4660万台,较去年同期增长13%。这一数据表明,消费者对健康监测、运动管理及智能互联设备的需求持续升温,行业竞争格局亦同步加速重构。

RP2350 vs STM32H7:性能翻倍,成本减半的MCU革新之战

2025年5月23日,全球领先的半导体与电子元器件代理商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布,正式开售Raspberry Pi新一代RP2350微控制器。作为RP2040的迭代升级产品,RP2350凭借双核异构架构(Arm Cortex-M33 + RISC-V)、硬件级安全防护及工业级性价比,重新定义了中高端嵌入式开发场景的技术边界。该芯片通过多架构动态切换、可编程I/O扩展及4MB片上存储等创新设计,解决了传统微控制器在实时响应能力、跨生态兼容性与安全成本矛盾上的核心痛点,为工业自动化、消费电子及边缘AI设备提供了更具竞争力的底层硬件方案。