英飞凌的智能电网战略布局研究

发布时间:2012-11-14 阅读量:753 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】近年来,智能电网成为一个发展迅速并极具潜力的行业,本文就英飞凌为例,讨论一些智能电网的战略布局。

2009年12月下旬投入单极运营的中国云南—广东高压直流输电系统,是世界首个输电电压为800kV的高压直流输电线路,也是目前世界上建成的最强大的高压直流输电系统,其输送容量达5000MW,送电距离超过1400公里,它的效率极高,每1000公里损耗只有2%左右,这个高效输电系统由英飞凌公司提供了HVDC线路需要的高功率晶闸管(,按照英飞凌的说法“如果无高功率晶闸管,高压直流耦合器就不会成为现实,两个电网就无法通过交流链接实现耦合。”实际上,这只是英飞凌智能电网战略中的一小部分,自从将有线业务和无线业务出售后,英飞凌正在加速向工业、新能源领域转型。

多年来,英飞凌一直蝉联全球功率半导体龙头供应商位置,深谙全球功率半导体产业的变化。Arunjai Mittal指出,与20年前相比,功率半导体驱动需求发生了很大变化,例如,对可再生能源的需求、对高能效功率技术的需求等大大提升,这样反过来对半导体功率器件的发展提出了新的需求。
未来20年功率半导体需求和前20年有很大不同
图1 未来20年功率半导体需求和前20年有很大不同
 
由此,英飞凌公司的关注重点也将集中在能效、移动性和安全方向,体现在半导体领域,关注重点就是汽车电子、功率电子和智能卡与安全芯片市场,目前在这三个市场中,英飞凌分别占据汽车电子第二,功率电子第一和芯片卡第一的位置。
英飞凌在汽车电子、功率器件和安全心芯片领域拥有很强实力
图2 英飞凌在汽车电子、功率器件和安全心芯片领域拥有很强实力

在刚刚结束的英飞凌2012 3Q财季,虽然全球经济低迷但是英飞凌在这个三个市场都有增长,尤其是智能卡与安全芯片领域,更获得快速发展。

三个领域对英飞凌收入贡献比例如下
各领域贡献收入比例
图3 各领域贡献收入比例

Arunjai Mittal指出在汽车电子领域,英飞凌关注如何使汽车更洁净、让汽车更安全以及让汽车更大众(价格更便宜),在具体芯片策略上,就是提供更强大的传感器、计算产品和致动产品。更具体地说就是各类磁传感器、MEMS传感器、RF IC、SOC处理芯片和各种IGBT、MOSFET等。
英飞凌汽车电子领域的优势技术
图4 英飞凌汽车电子领域的优势技术

Arunjai Mittal表示,目前英飞凌在智能电网领域已经有全面布局,产品涉及发电、输电、变电以及用电所有环节,在发电环节,英飞凌的IGBT产品用于太阳能、风电设备,而输变电领域,世界首个输电电压为800kV的高压直流输电线路已经在中国云南广东建成,可以将位于云南的数个水电站提供的零碳环保电力以很少的损耗输送到珠江三角洲快速发展的工业区,特别是广州、深圳这样的大城市。该高压直流输电系统效率极高,相比传统的火电厂供电方式,可以实现年度减排二氧化碳3千万吨。在用电环节,我们已经有成熟的方案用于EV充电站、智能电表以及其他用电领域。“所以我们是能提供整套智能电网解决方案的公司之一。”他强调。
英飞凌已经完成智能电网布局
图5 英飞凌已经完成智能电网布局

智能电网市场潜力巨大,中国政府在这个领域更是积极推动,中国科技部印发的《智能电网十二五专项规划》指出,十二五期间的重点任务是要发展大规模间歇式新能源并网技术,要突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术。根据规划,十二五期间,中国将建成20~30项智能电网技术专项示范工程和3~5项智能电网综合示范工程,建设5~10个智能电网示范城市和50个智能电网示范园区。

而根据国家电网公司发布的《关于加快推进坚强智能电网建设的意见》,2011~2015年为智能电网的全面建设阶段,此阶段电网投资约2万亿元;2016~2020年为智能电网基本建成阶段,此阶段电网投资为1.7万亿元。

Arunjai Mittal表示英飞凌也非常重视中国市场,已经在中国上海、无锡、北京、深圳、香港等建有研发中心或者芯片生产基地,例如无锡有分立器件以及智能卡芯片后端基地,是全球英飞凌在德国之外的全球第二大后端制造基地。

Arunjai Mittal指出未来10年,中国在高速铁路、风电站、城际铁路、干线铁路、电气传输、汽车等领域在全球份额会继续攀升,将创造巨大市场商机,这也是英飞凌持续投资中国的动因。
中国在众多领域主导新技术应用
图6 中国在众多领域主导新技术应用
相关资讯
AI引爆芯片扩产潮:2028年全球12英寸晶圆月产能将破1100万片

国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出,生成式AI需求的爆发正推动全球芯片制造产能加速扩张。预计至2028年,全球12英寸晶圆月产能将达1,110万片,2024-2028年复合增长率达7%。其中,7nm及以下先进制程产能增速尤为显著,将从2024年的每月85万片增至2028年的140万片,年复合增长率14%(行业平均的2倍),占全球总产能比例提升至12.6%。

高通双轨代工战略落地,三星2nm制程首获旗舰芯片订单

据供应链消息确认,高通新一代旗舰芯片骁龙8 Elite Gen 2(代号SM8850)将首次采用双轨代工策略:台积电负责基于N3P(3nm增强版)工艺的通用版本,供应主流安卓厂商;而三星则承接其2nm工艺(SF2)专属版本,专供2026年三星Galaxy S26系列旗舰机。此举标志着高通打破台积电独家代工依赖,三星先进制程首次打入头部客户供应链。

美光2025Q3财报:HBM驱动创纪录营收,技术领先加速市占扩张

在AI算力需求爆发性增长的浪潮下,存储巨头美光科技交出超预期答卷。其2025财年第三季度营收达93亿美元,创历史新高,其中高带宽内存(HBM)业务以环比50%的增速成为核心引擎。凭借全球首款12层堆叠HBM3E的量产突破,美光不仅获得AMD、英伟达等头部客户订单,更计划在2025年末将HBM市占率提升至24%,直逼行业双寡头。随着下一代HBM4基于1β制程的性能优势验证完成,一场由技术迭代驱动的存储市场格局重构已然开启。

对标TI TAS6424!HFDA90D以DAM诊断功能破局车载音频安全设计

随着汽车智能化升级,高保真低延迟高集成度的音频系统成为智能座舱的核心需求。意法半导体(ST)推出的HFDA80D和HFDA90D车规级D类音频功放,以2MHz高频开关技术数字输入接口及先进诊断功能,为车载音频设计带来突破性解决方案。

村田量产全球首款0805尺寸10μF/50V车规MLCC,突破车载电路小型化瓶颈

随着汽车智能化电动化进程加速,自动驾驶(AD)和高级驾驶辅助系统(ADAS)等关键技术模块已成为现代车辆标配。这些系统依赖于大量高性能电子控制单元(ECU)和传感器,导致车内电子元件数量激增。作为电路稳压滤波的核心元件,多层片式陶瓷电容器(MLCC)的需求随之水涨船高,尤其是在集成电路(IC)周边,对大容量电容的需求尤为迫切。然而,有限的电路板空间与日益增长的元件数量及性能要求形成了尖锐矛盾,元件的高性能化与小型化成为行业亟待攻克的关键难题。