发布时间：2012-10-29 阅读量：739 来源: 我爱方案网 作者:
科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示：“与同频率范围的 GaAs 晶体管相比，科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案，从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”
主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 晶体管相比，固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。
科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”
在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。 新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。
在追求电子设备小型化、高性能和超低功耗的时代，复杂的多轨电源设计已成为研发的关键挑战。传统分立式电源方案不仅占用宝贵的PCB面积，也增加了设计难度与系统功耗控制的复杂性。固态硬盘（SSD）、现场可编程门阵列（FPGA）、微控制器单元（MCU）系统及便携设备对电源管理集成电路（PMIC）的要求日益严苛：高效转换、低待机功耗、高集成度、精确调压以及智能化管理缺一不可。圣邦微电子（SG Micro）推出的SGM260320 PMIC，正是瞄准这一市场需求，以高度集成、卓越性能和丰富的可配置功能，提供了一站式的高效供电解决方案。
随着智能手机影像功能逐渐成为用户核心需求，光学防抖（OIS）技术正面临前所未有的性能挑战。TDK株式会社凭借旗下InvenSense公司15年OIS/EIS技术积累，最新推出的SmartMotion® ICM-536xx系列六轴IMU，正在打破高端防抖技术的成本壁垒。该方案通过突破性的6.4kHz输出数据速率和20位分辨率，首次将专业级防抖性能引入主流移动设备市场。
2024年，全球工业机器人市场经历了一次明显的周期性调整。国际机器人联合会（IFR）的初步统计数据显示，全年新装机量约为52.3万台，较上年下滑约3%。这是近年来该市场罕见出现的负增长，反映出多重经济与技术周期叠加下的复杂局面。
科技行业的顶级联盟再次激活。三星电子近日正式宣布，将与苹果公司展开深度合作，为其下一代智能手机供应关键的图像传感器。这标志着三星自2015年为iPhone供应A9芯片后，时隔近十年重归苹果核心芯片供应链，堪称其半导体业务的一次重大战略回归。
三安光电近期在投资者互动平台确认，其子公司湖南三安的碳化硅MOSFET器件已实现规模化交付，主要客户包括台达电子、光宝科技、长城汽车子公司及维谛技术等企业。这些合作伙伴专注于数据中心和人工智能服务器的高效电源系统，标志着三安光电在高压半导体领域取得重大突破。最新行业报告显示，2025年全球数据中心电源管理市场对SiC器件的需求同比激增30%，三安光电借此成功切入国际供应链，为海外扩张奠定坚实基础。
