Altera 20-nm混合系统架构创新技术大公开

发布时间:2012-09-10 阅读量:638 来源: 发布人:

导读:Altera公司公开了在其下一代20-nm产品中规划的几项关键创新技术,包括40-Gbps收发器技术、异质混合3D IC技术、可编程功耗技术等,延续在硅片融合上的承诺,Altera向客户提供终极系统集成平台,以结合FPGA的硬件可编程功能、数字信号处理器和微处理器的软件灵活性,以及面向应用的硬核知识产权的高效。

近日,Altera公司公开了在其下一代20-nm产品中规划的几项关键创新技术。延续在硅片融合上的承诺,Altera向客户提供终极系统集成平台,以结合FPGA的硬件可编程功能、数字信号处理器和微处理器的软件灵活性,以及面向应用的硬核知识产权(IP)的高效。Altera在20 nm的体系结构、软件和工艺的创新,能支持更强大的混合系统架构的开发,带来性能、带宽、集成度和功效的新的提升。
[member]
Altera的20-nm混合系统架构包括40-Gbps收发器技术、下一代精度可调数字信号处理(DSP)模块体系结构以提供高达5 TFLOP(每秒5万亿次浮点运算)的IEEE 754标准浮点运算性能、异质混合3D IC技术即通过创新的高速互联接口来集成FPGA和用户可定制HardCopy® ASIC,或者集成包括存储器、第三方ASIC、光接口等在内的各种技术。Altera是业界唯一能够在一个器件中集成FPGA和ASIC的公司。

20-nm混合系统架构在功耗管理方面继续创新,包括自适应电压调整、可编程功耗技术、以及工艺技术优化等,使得Altera器件功耗比前一代降低了60%。

异质混合20-nm系统的开发通过全功能高级设计环境得以实现,这一设计环境包括系统集成工具(Qsys)、基于C的设计工具(OpenCL™)以及DSP开发软件(DSP Builder)。Altera持续关注通过增强其开发工具以在20nm实现业界最快的编译时间,来提高设计人员的效能。

Altera研发资深副总裁Bradley Howe评论说:“下一代通信、网络、广播和计算应用设计人员在扩展带宽、提高性能以及降低功耗方面面临越来越大的需求。我们在20 nm的创新使我们能够交付非常高效、非常灵活的混合系统架构,利用20-nm FPGA最新工艺技术提供高度优化的专用电路。其结果是该器件以最低功耗提供业界水平最高的IC集成度、性能和带宽。”

Altera下一代器件采用TSMC的20-nm工艺技术和业界最高的系统集成度,并包括硬核ARM®处理器子系统。20-nm 片上系统(SoC) FPGA为客户提供了从28-nm到20-nm的软件移植途径,同时将处理器子系统的性能提高了50%。

即将实现的创新包括:

最高串行带宽:40-Gbps芯片至芯片和28-Gbps背板收发器

Altera 20 nm收发器技术创新将实现业界最大串行带宽,支持向100G背板和400G系统的发展。20-nm器件包括驱动CEI-25G-LR和以太网4x25G背板的28-Gbps收发器,面向芯片至芯片或者芯片至光模块连接而设计的40-Gbps收发器。Altera在20 nm实现的收发器技术创新成为开发兼容CEI-56G收发器的基础,为驱动下一代400G光网络、400G线路卡等提供连接能力。

具有高速芯片至芯片接口的异质混合3D IC

在20 nm,Altera将引入创新的高速芯片至芯片接口,用于在一个3D封装中集成多个管芯。采用这一创新接口,Altera能够交付面向客户的异质混合3D系统,该系统可集成FPGA和用户定制的HardCopy ASIC,或者包括存储器、第三方ASIC和光接口等各种其他技术。借助FPGA、HardCopy ASIC或者第三方ASIC的集成,Altera能够提供10倍于任何28-nm产品系统集成度的单器件解决方案。Altera的异质混合3D IC将采用TSMC的的芯片-晶圆-基底 (CoWoS) 集成工艺进行制造。利用这些器件,开发人员可大幅度提高系统集成度和系统性能以突出产品优势,同时还可以降低系统功耗,减小了电路板空间,并降低系统成本。

业界性能最好的DSP,带来最高TFLOP/W

Altera在20-nm器件刷新了业界的TFLOP/W基准。下一代精度可调DSP模块增强技术实现了5 TFLOP(每秒5万亿次浮点运算)的IEEE 754标准浮点运算性能。在此性能水平上,Altera 20-nm器件的每瓦TFLOP要比竞争FPGA高5倍。结合了最具效能的OpenCL C设计流程、ARM硬核处理器子系统以及最高的TFLOP/W的硅片效率,Altera的20-nm器件提供了终极异质混合计算平台。

相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。