高通:入门级3G手机向双核转变仅需半年

发布时间:2012-06-5 阅读量:685 来源: 我爱方案网 作者:

中心议题:
       *  简化手机开发程序对3G研发大有帮助
       *  针对中入门级手机也将向双核转换
       *  中小手机厂商还有机会

针对中国3G手机的发展趋势,在出席“高通中国合作伙伴峰会”时,高通公司CDMA技术集团高级副总裁Jeff Lorbeck预测,尽管中国的一些低端手机会继续使用单核芯片,但在半年后,入门级的手机也会向双核转换。

简化手机开发程序对3G研发大有帮助

高通对中国智能手机市场的信心来自于中国市场的高速发展。相关市场调研公司的报告显示,2011年我国手机出货量达4.55亿,其中智能手机出货量达到1.18亿,较2010年增长了175%,超过以往历年的总和。我国今年一季度手机的产量达2.55亿台,同比仅增长2.25%,但该季度中国智能手机市场销量达到2900万部,环比增长27% ,同比增长103.7% 。

高通正是这个快速增长的市场的受益者。去年,高通发布了一个QRD计划,中文名为“高通参考设计”,这项计划就是基于高通骁龙芯片手机,大力简化手机的开发程序,以便降低3G智能手机的研发门槛,这实际上非常类似于联发科(微博)的“交钥匙”工程。

对此结果,高通大中华区总裁王翔透露,半年以来,加入高通QRD计划的OEM厂商已达30多家;已有17个OEM厂商发布了28款基于QRD平台的智能终端,另外还有100余款终端正在研发过程中。

高通公司CDMA技术集团高级副总裁Jeff Lorbeck则表示,QRD上市终端数量目前正处于高速增长期。仅在3月和4月,就有14款手机发布,很多手机都进入了中国联通(微博)和中国电信(微博)的终端集采。

入门级手机也将向双核转换

Jeff Lorbeck认为,中国3G手机市场有其独特特点,包括在3G智能手机生态系统里面,是运营商在真正推动整个行业的发展。另外,中国3G智能手机的价格下跌非常快,而且注重硬件配置,所以,中国的3G智能手机中,双核机所占的比例肯定比普通发展中国家高很多。

他说,一些深圳的中小手机厂商觉得在低端市场还有对单核产品的需求,在他们的产品路线图设计上,未来一些低端的3G手机还会继续使用单核,但是,“使用高通QRD的手机厂商正由单核向双核进行过渡,我认为,在未来的6个月、1年或者一年半,入门级的手机也会向双核转换”。

中国联通市场营销部总经理周友盟也表示,800元以下WCDMA终端机市场空间仍然非常巨大,关键是手机既要硬件配置高,为用户提供更好的移动互联网体验。

中小手机厂商还有机会

把高通“高通中国合作伙伴峰会”放在深圳开,表明高通似乎非常关注中小手机场厂商,当天的会场上,至少来了七八百人,把会场围得水泄不通。对此,Jeff Lorbeck表示,高通QRD合作伙伴也有世界顶尖的大手机企业,中国的一些大手机公司也在其中,因为QRD开发平台能够缩短其低端手机的上市时间。

另外,在进入3G时代后,由于3G智能手机的设计门槛大大提高,很多小型的2G手机转型3G吃力,技术上往往难以过关,且进入不了运营商的渠道。

Jeff Lorbeck表示,“有一些声音认为3G时代,小的手机厂商面临被整合,因为在渠道上,大家都关注运营商。但现在开放市场渠道开始发达起来,不用完全依靠运营商,这对小手机厂商有利,他们还有很多机会,高通非常希望能够帮助他们”。(康钊)
 

相关资讯
中国PC市场2025年第一季度分析报告:消费驱动增长,本土品牌崛起

2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。

安森美携AI驱动听力解决方案亮相第九届北京国际听力学大会

2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。

国产超低功耗霍尔传感器突破可穿戴设备微型化极限——艾为电子Hyper-Hall系列技术解析与行业前景

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。

HBM技术演进路线图深度解析:从HBM4到HBM8的十年革新

韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。