Intel和Micron更新NAND闪存合资企业,包括开发新兴存储器技术

发布时间:2012-05-30 阅读量:780 来源: 我爱方案网 作者:

新闻事件:
     *  Intel和Micron更新NAND闪存合资企业,包括开发新兴存储器技术


Intel公司和Micron公司近日宣布两家公司已达成多项协议,以加强它们关于NAND闪存合资企业的关系。这些协议旨在提高该合资企业的灵活性和效率,其中包括一项关于Micron 向Intel 提供NAND产品的NAND闪存供货协议,以及向Micron出售某些合资公司资产的协议。

根据该协议的条款,Intel将出售其在两家晶圆厂的股份以换取价值6亿美元的资金--其大约相当Intel所持股份的账面价值。此外,Intel将以现金方式接受此款项的一半,而剩余部分将寄放在Micron,可能会用于Intel根据NADN闪存供货协议未来进行购货的支付款。这些协议也扩展了这两家公司成功经营的NAND闪存合资发展项目,将其扩展为包括新兴存储器技术。

“Micron和Intel的NADN合资开发项目是创新、提升生产力和效率的典范”,Micron首席执行官Mark Durcan如是说。“通过IM闪存和其相关的项目,我们两家公司在NADN闪存领域中已成为领导者。这些新协议建立在那些成功的基础之上”。

“Intel-Micron的合作创建了业界领先的NAND闪存技术,并开发了强健的全球生产网络。与Micron达成的关于NAND闪存供货的新协议使Intel能更灵活地满足对固态硬盘(SSD)和其它产品日益增长的需求”,Intel公司副总裁兼非易失性存储器解决方案集团总经理Robert Crooke如是说。

作为这些协议的一部分,Micron将提高其总体NAND闪存产量的份额,并通过收购IM Flash Singapore (IMFS)和IM Flash Technologies (IMFT)在弗吉尼亚州马纳萨斯的资产以优化其全球生产网络。

Micron还同意从其设施中向Intel提供NAND闪存存储器。该IMFT NAND合资企业安装于犹他州李海的生产设施,仅需在现有基础上进行极小改动便可继续运行。这些设施目前正生产该两公司业界领先的20nm NAND闪存技术存储器。根据某些条款规定,这笔交易预计于本年度上半年完成。
相关资讯
2025高端电视市场激增44%,中国双雄蚕食三星份额

全球高端电视市场格局正经历深刻变革。Counterpoint Research最新报告显示,2025年第一季度全球高端电视出货量同比大幅攀升44%,行业收入同步增长35%。中国品牌展现了强大竞争力,特别是TCL和海信表现亮眼,两大品牌出货量均实现三位数同比增长,引领全球市场进入发展新阶段。

全球碳化硅龙头Wolfspeed濒临破产,Apollo主导重组

据路透社等多家权威外媒报道,全球碳化硅(SiC)材料与器件的头部企业Wolfspeed Inc. (NYSE: WOLF) 正面临严峻财务危机,即将申请破产保护。消息人士透露,该公司计划采取“预先打包”(pre-packaged)的破产重组模式,由以阿波罗全球管理公司(Apollo Global Management)为首的债权人团体主导接管过程。此消息引发资本市场剧烈反应,Wolfspeed股价在6月19日单日暴跌超过30%,报收于0.8732美元每股,年初至今累计跌幅已高达86.89%,反映出市场对其前景的极度悲观。

苹果折叠屏iPhone量产时间表确认:鸿海代工、三星独家供屏,高端定价策略浮出水面

天风国际知名分析师郭明錤最新报告指出,苹果折叠屏iPhone核心代工伙伴鸿海(富士康)将于2024年第四季度正式启动项目开发,标志苹果首款折叠屏设备进入工程阶段。根据供应链进度预测,量产时间预计落在2026年第二季度,较此前行业传闻更明确,但最终产品规格仍存调整可能。

Marvell大幅上调AI芯片市场预期,获新客户合作推动股价创季度新高

当地时间6月18日,全球领先芯片设计厂商Marvell Technology在网络研讨会上宣布,将其定制化人工智能(AI)加速芯片的2028年整体潜在市场规模(TAM)预估从430亿美元大幅调升至550亿美元。受此积极预期推动,Marvell当日股价强势上涨7.09%,报收于74.95美元/股,创下自今年3月5日以来的收盘新高。

英特尔VS台积电:18A与N2的SRAM密度之战与背面供电领先优势

Intel 18A作为英特尔“四年五节点”战略的收官之作,首次集成RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术两大创新。RibbonFET通过优化栅极静电控制,显著降低漏电率并提升晶体管密度;PowerVia则将供电网络移至晶圆背面,减少信号干扰并降低电阻,使单元利用率提高5%-10%,最坏情况下的固有电阻(IR)下降达10倍。两者的结合推动Intel 18A相较Intel 3实现15%的每瓦性能提升与30%的芯片密度增长,同时在同功耗下性能提升18%-25%,同频下功耗降低36%-38%。