Spansion开始批量生产最高密度单芯片512 Mb串行闪存

发布时间:2012-05-10 阅读量:649 来源: 我爱方案网 作者:

行业领先的并行和串行NOR闪存芯片供应商Spansion公司(纽约证交所代码:CODE),日前宣布已经开始批量生产512 Mb Spansion® FL-S串行(SPI) NOR闪存,该芯片是业界单颗裸片最高容量的串行闪存方案。Spansion FL-S系列产品容量涵盖128Mb至1Gb,具有比同类竞争产品快三倍的业界领先编程速度和快20%的双倍数据读取速率(DDR)。速度的提升在诸多的嵌入式应用中极大地提高了用户体验,例如汽车组合仪表盘和信息娱乐系统、工业和医疗图形显示以及家用网关和机顶盒。

Spansion串行闪存芯片具有领先的读写性能、汽车应用级的高质量以及温度特性,支持更高密度,并有闪存文件系统软件和长期产品支持与之配套,因而成为众多工程师的首选。为了改善用户体验以及提供富有创新、图形丰富、个性化设计,众多客户都对以上特性提出了更多要求。

受益于Spasnion FL-S产品特性,诸多应用领域可提供更好的产品,具体包含:

汽车:组合仪表盘和信息娱乐系统,基于3D图形引擎显示实时驾驶信以及高可靠性的指令、实时快速渲染和较少的引脚数量。这些特性是实现个性化设计,改善图形显示,数字仪表板瞬间启动所必须具备的。
消费电子:家用网关、数字电视、机顶盒和打印机均要求在更小的封装下提供高容量串行闪存和高级加密保护,从而为最终消费者提供安全、瞬时启动的使用体验。
智能电表:为监控能源使用,越来越多的代码需要在高性价比的平台上实现并为系统提供高可靠性。
WiMax系统:对更小封装的需求日益增长,如具有高可靠性的BGA封装。

专家评论:
OBJECTIVE ANALYSIS总监Jim Handy表示:“由于在密度和性能的卓越表现,越来越多的应用开始使用串行闪存,预计Spansion FL-S系列将被广泛采用。Spansion结合了紧凑的工艺几何结构和MirrorBit电荷捕获技术,从而能以小尺寸封装实现高密度和高速度的串行闪存芯片,这使SPI成为高性能设计的热门选择。”

Spansion公司战略与产品营销副总裁Bob France表示:“Spansion FL-S系列大受欢迎,已有逾15家一流芯片方案公司支持Spansion的业界领先串行闪存。此外,我们与芯片方案公司的合作带来了创新的参考设计,基于这些设计可实现几乎能瞬间启动的更高性能电子产品,从而使用户能够快速访问丰富的高分辨率图像。”

Spansion FL-S系列主要规格/性能指标:
    128 Mb、256 Mb和512 Mb Spansion FL-S产品已经量产。根据市场需求,我们还可提供1Gb叠加芯片解决方案。
    支持工业和汽车舱内温度范围(-40C至+85C/+105C)
    高达1.5 MB/s的写入速度,比市场上现有的SPI解决方案快三倍,提高制造产量并降低整体成本。
    高达66 MB/s的芯片内执行(XiP)速度,超过同类竞争方案20%以上。
    比同类产品快五倍的芯片擦除速度和快三倍的编程速度相结合,显著缩短制造过程中的芯片重编程时间。
    通过Spansion通用封装尺寸实现业界标准规格
    16引脚SO封装(300 mil)
    8引脚SO封装(128 Mb预计尺寸208 mil)
    8引脚WSON 6x8(仅限128 Mb和256 Mb密度)
    24引脚BGA 6x8
    低引脚数可简化电路板布局,降低成本,缩小许多嵌入式设计的尺寸,128Mb SPI闪存芯片的引脚减至8个。
    扩展的安全选项包括:通过1kB一次性可编程(OTP)区域保护客户IP、独立扇区保护和软硬件数据保护。独特的128位唯一识别ID可用于系统认证和提供额外的安全性。
    Vio范围为1.65V - 3.6V,Vcc范围为2.7V-3.6V
    提供通用配置信息使用通用闪存接口(CFI)
    支持JEDEC JESD216串行闪存可识别参数(SFDP)
    128Mb产品使用业界标准3字节寻址,256Mb和更高密度产品使用扩展32位寻址(4字节)。
    Spansion闪存文件系统(FFS):免费提供定制软件驱动和闪存文件系统软件。

相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。