T4240/T4160:飞思卡尔推出嵌入式多核处理器用于快速增长的数据中心市场

发布时间:2012-02-10 阅读量:1019 来源: 我爱方案网 作者:

产品特性:
    *  T4240具有24个虚拟内核
    *  T4240基于双线程e6500 Power Architecture®内核
    *  T4160具有16个虚拟内核
    *  T4160可在25W功率范围内实现1.8 GHz频率
应用范围:
    *  数据中心、网络、工业领域


随着越来越多的面向个人和企业消费者的普及服务采用云计算来提供处理功能,全球的公共和专用数据中心正在迅速发展。虚拟化和其他处理优势已经帮助数据中心服务器跟上性能需求的步伐,同时作为补充,嵌入式多核通信处理器也开始发挥更大的作用,这是由于它们有能力帮助管理、分类和服务于云间和云内的巨大数据流。

全球通信处理领域的领导者飞思卡尔半导体正在帮助推动全球的数据中心不断演进,在其QorIQ高级多处理(AMP)系列中又新推出了 T4240和T4160嵌入式多核处理器。先前宣布的T4240处理器具有24个虚拟内核并基于飞思卡尔的双线程e6500 Power Architecture®内核,已经获得了最高CoreMark的每瓦性能(performance-per-watt)评价以及嵌入式处理器有记录以来整体最高性能测试分。飞思卡尔日前又推出了新的兼容软件和引脚的QorIQ AMP系列的T4160处理器,它具有16个虚拟内核,可在25W的功率范围内实现1.8 GHz频率。

T4240和T4160产品为数据中心以及其他网络和工业领域中的应用提供一个极具吸引力的组合,即硬件加速、基于结构(fabric-based)的互连技术、高速I/O、硬件辅助的虚拟化以及下一代64位Power Architecture内核的组合。这两款产品将采用28纳米工艺技术来制造。

为了满足严格的数据中心低功耗要求,AMP系列产品还采用级联的电源管理技术,这是一种先进的方法,使用可变式电源开关来降低能耗,允许客户独立、精确地调节内核功率以及其他处理单元。

T4240和T4160处理器采用了大量非常适合数据中心应用的先进技术,包括:
• 双线程、64位Power Architecture® e6500内核、具有40位实际地址内存以及1TB的物理地址内存;
• 第二代基于硬件的虚拟机监视器(hypervisor)技术,旨在简化开发并实现多个独立操作系统的安全自主操作,允许它们共享系统资源,包括处理器内核、加速器、内存、互连和其他片上功能;
• 50 Gbps的数据包解析、分类和分发加速技术;
• 支持10G和1G两种以太网,允许多个10G和1G以太网接口的灵活性;
• 20 Gbps的IPSEC转发性能,包括面向SSL和其他安全协议的具有40 Gbps性能的加密加速引擎(SEC);
• 新的20 Gbps数据压缩引擎(DCE)以及支持应用识别和数据丢失预防的正则表达式模式匹配引擎;
• 支持服务质量的新功能,包括数据中心桥接(DCB)和出口方向流量整形,旨在消除因为队列溢出而出现的丢包,并且支持链路上带宽的有效分配;
• 系统互连技术,包括带SR-IOV的PCIe rev 3.0,以促进高速外围设备的扩展;

飞思卡尔网络处理器部副总裁Brett Butler表示:“数据中心技术正在以惊人的速度发展,我们的很多客户在迅速增加带宽,同时对抗因数据中心网络扁平化而造成的延迟。有趣的是,未来的数据中心开始体现我们的嵌入式SoC的架构特征,并拥有同样的需求,即以最低的拥有成本提供最高的网络和内容处理性能。与这一趋势关联的技术需求正是飞思卡尔传统通信处理的优势所在。”

供货情况

T4240和T4160的样品计划在2012年年中供货。这些器件是飞思卡尔产品长期供货计划的一部分,可确保10年的供应。

相关资讯
台积电独占35%份额!AI订单助推代工业季度增长13%

2025年第一季度,全球半导体晶圆代工2.0市场规模达722.9亿美元,同比增长13%。市场扩张主要受人工智能及高性能计算芯片需求激增推动,尤其3nm/5nm先进制程和CoWoS等封装技术成为核心增长引擎。行业分析显示,传统单一制造模式(代工1.0)正被技术整合平台(代工2.0)取代,涵盖设计、制造、封装全链条协同创新。

汇聚产业全景,引领智造未来:AIoT全产业链精英深度碰撞

2025年6月20日,IOTE 2025·上海站在上海新国际博览中心N5馆圆满收官! 在万物智联的时代洪流中,物联网技术正以前所未见的速度重塑世界,驱动千行百业向智能化、数字化加速跃迁。本届展会以“生态智能,物联全球”为核心主题,携手全球移动通信标杆盛会MWC上海,不仅呈现了一场前沿技术的饕餮盛宴,更是物联网与移动通信深度融合、共绘发展新图景的生动实践,为全球AIoT产业的蓬勃脉动注入强劲活力与动能。

高抗扰驱动器选型指南:SGM58000 集成方案挑战 ST/安森美驱动器性能极限

在工业自动化、新能源汽车、高效电源等应用领域日益追求高功率密度与高可靠性的今天,高性能的栅极驱动器扮演着至关重要的角色。它们作为功率开关器件(如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT)与控制信号之间的关键"桥梁",其性能直接决定了系统效率、开关速度、电磁兼容性(EMC)以及整体可靠性。本文将聚焦行业备受关注的意法半导体新一代集成化方案(STDRIVE102H/BH)、圣邦微电子的三相驱动器(SGM58000)以及安森美的双通道高端驱动(NCD57252),进行深度对比分析,揭示各自优势及适用场景,为工程师选型决策提供专业参考。

突破0.5mg漂移极限!村田发布工业级三轴MEMS加速度计

工业数字化转型加速推动预测性维护需求增长,尤其桥梁、大型建筑等基础设施的结构健康监测(SHM)领域。传统高精度加速度传感器长期面临偏移漂移大、环境适应性弱等痛点。村田制作所最新推出的SCA3400系列数字三轴MEMS加速度传感器,以≤0.5mg的偏移寿命漂移值突破行业极限,为工业设备状态监测树立新标杆。

先进制程角逐2026:3nm/2nm将占旗舰手机芯片三成市场

全球智能手机芯片领域正迎来新一轮工艺迭代浪潮。知名研究机构Counterpoint Research最新报告指出,3nm及更先进的2nm制程技术将在2026年占据智能手机应用处理器(SoC)出货总量的近三分之一(约33%),成为驱动高端设备性能跃升的核心引擎。这一演变标志着半导体制造技术对移动终端能力的决定性影响达到新高度。