浅析基于C8051F023的液晶触摸屏的设计

发布时间:2012-02-10 阅读量:1150 来源: 我爱方案网 作者:

中心议题:
    *  C805lF023单片机简介
    *  液晶触摸屏系统硬件接口电路
    *  液晶触摸屏软件设计
解决方案:
    *  采用C805lF023单片机
    *  采用OCMJ8X15D液晶触摸显示模块的硬件接口电路

引言

人机对话界面的种类很多,如显示器、LED、LCD及带触摸屏的LCD等。其中带触摸屏的LCD是最近几年刚发展起来的一项新技术,它通过计算机技术来处理声音、图像、视频、文字、动画等信息,并在这些信息间建立一定的逻辑关系,使之成为能交互地进行信息存取和输出的集成系统。触摸屏系统符合现代简便、经济、高效的发展原则。

1 C805lF023单片机简介

C8051F023是完全集成的混合信号系统级MCU芯片,芯片具有32个数字I/O引脚。表l所列是各引脚定义,其主要特性如下:

采用高速、流水线结构且与8051兼容的CIP一51内核(可达25 MIPS);
带有全速、非侵入式在系统调试接口(片内);
内含真正的10位C8051F023、100 ksps的8通道ADC和PGA以及模拟多路开关;
有两个12位DAC,并具有可编程数据更新方式;
内含64 K字节可在系统编程的FLASH存储器以及4352(4096+256)字节的片内RAM;
带有可寻址64 K字节地址空间的外部数据存储器接口;
具有硬件实现的SPI、SMBus/I2C和两个UART串行接口;
内含5个通用的16位定时器;
具有5个捕捉/比较模块的可编程计数器/定时器阵列;
带有片内看门狗定时器、VDD监视器和温度传感器。
具有片内VDD监视器、看门狗定时器和时钟振荡器的C8051F023芯片,是一种真正能独立工作的片上系统。所有模拟和数字外设均可由用户固件使能/禁止和配置。此外,FLASH存储器还具有在系统重新编程能力,可用于非易失性数据存储,并允许现场更新805l固件。

2 系统硬件接口电路

本文采用C805lF023单片机来控制带中文字库的OCMJ8X15D液晶触摸显示模块,OCMJ8X15D的引脚说明如表1所列,其硬件接口电路如图l所示。


 

 


C805lF023单片机带有内部晶振,但本设计为了更加精确.仍然采用外接晶振。该触摸屏的背光亮度是可以调节的,故可根据需要应用电位器调节其亮度,本设计还预留了通信接口(P0.0,P0.1,PO.2,P0.3)。

3 软件设计

要实现在液晶触摸显示器上显示软键盘,根据液晶控制器的特点,用图2所示的流程图给出本设计的编程思路及主程序流程图。

OCMJ8X15D中文液晶显示模块的文字模式可以支持全角(中文或英文)及半角(英文)显示,全角文字是以16x16的点矩阵组成,半角文字是8x16的点矩阵组成。该模块的中文显示方式与一般的模块不同,一般的模块是在绘图模式下,以Bit—Map的方式去绘出中文,而OCMJ8X15D中文液晶显示模块的中文显示方式则是用文字模式,直接输入中文字码,这样就可以在光标所在位置显示中文。该显示模块有三种中断讯息,本设计使用有触控屏幕侦测到被Touch来发生中断。

4 结束语

采用本文给出的C805lF023单片机和OCMJ8X15D液晶触摸显示模块的硬件接口电路,并通过编写可触摸显示中英文和数字的子程序设计的样机,触摸定位准确,显示内容正常。

相关资讯
晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(下)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

晶振行业必备术语手册:工程师必收藏(上)

在电子电路设计中,晶振的每一项参数都与产品命运息息相关——哪怕只差0.1ppm,也可能让整板“翻车”。看似最基础的术语,正是硬件工程师每天必须跨越的隐形门槛。

3点区分TCXO温补晶振与OCXO恒温晶振

电路板中常用到恒温与温补这两种晶振,恒温晶振与温补晶振都属于晶体振荡器,既有源晶振,所以组成的振荡电路都需要电源加入才能工作

体积缩小58%!Vishay发布185℃耐受汽车级TVS解决方案​

汽车电子系统日益复杂,尤其在48V架构、ADAS与电控系统普及的当下,对瞬态电压抑制器(TVS)的功率密度、高温耐受性及小型化提出了严苛挑战。传统大功率TVS往往体积庞大,难以适应紧凑的ECU布局。威世科技(Vishay)日前推出的T15BxxA/T15BxxCA系列PAR® TVS,以创新封装与卓越性能直面行业痛点,为下一代汽车设计注入强大保护能力。

SK海力士突破6层EUV光刻技术,1c DRAM制程引领高性能内存新时代

韩国半导体巨头SK海力士近日在DRAM制造领域实现重大技术飞跃。据ZDNet Korea报道,该公司首次在其1c制程节点中成功应用6层EUV(极紫外)光刻技术,显著提升了DDR5与HBM(高带宽内存)产品的性能、密度及良率,进一步巩固其在先进内存市场的领导地位。