发布时间:2011-11-3 阅读量:1607 来源: 我爱方案网 作者:
图1.显示各种电源管理要求的基本锁相环
PLL中,反馈控制环路驱动电压控制振荡器(VCO),使振荡器频率(或相位)精确跟踪所施加基准频率的倍数。许多优秀的参考文献 (例如Best的锁相环1),解释了PLL的数学分析;ADI的ADIsimPLL?等仿真工具则对了解环路传递函数和计算很有帮助。下面让我们依次考察 一下PLL构建模块。表1. ADF4350 VCO推压测
图2.ADF4350 VCO通过10kHz、0.6v p-p方波响应
图3.使用ADP3334和ADP150LDO对(AA电池)供电时ADF4350在4.4GHz下的相位噪声比较
图3强调了低噪声电源对于ADF4350的重要性,但对电源或 LDO的噪声该如何要求呢?
其中vLDO(f)是LDO的电压噪声频谱密度。
1 Hz带宽内的单边带电源频谱密度SΦ(f)由下式得出:
其中 L(LDO)是失调为f时,调节器对VCO相位噪声(以dBc/Hz表示)的噪声贡献; f; Kpushing是VCO推压系数,以Hz/V表示;vLDO(f)是给定频率偏移下的噪声频谱密度,以V/√Hz表示。
图4.小信号加性vco电源噪声模型
在自由模式VCO中,总噪声为 LLDO值加VCO噪声。以dB表示则为:
例如,试考虑推压系数为10 MHz/V、在100 kHz偏移下测得相位噪声为–116 dBc/Hz的VCO:要在100 kHz下不降低VCO噪声性能,所需的电源噪声频谱密度是多少?电源噪声和VCO噪声作为方和根添加,因此电源噪声应比VCO噪声至少低6 dB,以便将噪声贡献降至最低。所以LLDO应小于–122 dBc/Hz.使用公式1,
给定偏移下的LDO噪声频谱密度通常可通过LDO数据手册的典型性能曲线读取。
当VCO连接在负反馈PLL内时,LDO噪声以类似于VCO噪声的方式通过PLL环路滤波器进行高通滤波。因此,上述公式仅适用于大于PLL环路带宽的频 率偏移。在PLL环路带宽内,PLL可成功跟踪并滤 LDO噪声,从而降低其噪声贡献。
图5.用于衰减LDO噪声的LCπ滤波器
选择器件时需要非常小心。典型电感为微亨利范围内(使用铁氧体磁芯),因此需要考虑电感数据手册中指定的饱和电流(ISAT), 作为电感下降10%时的直流电平。VCO消耗的电流应小于ISAT. 有效串联电阻(ESR) 也是一个问题,因为它会造成滤波器两端的IR压降。对于消耗300 mA直流电流的微波VCO,需要ESR小于0.33Ω的电感,以产生小于100 mV的IR压降。较低的非零ESR还可抑制滤波器响应并改善LDO稳定性。为此,选择具有极低寄生ESR的电容并添加专用串联电阻可能较为实际。图6.测量电荷泵电源抑制的设置
17.4 mV (–22 dBm)的纹波信号经交流耦合至电源电压,并在频率范围内进行扫描。在每一频率下测量杂散水平,并根据–22dBm输入与杂散输出电平间的差异(以dB表 示)计算PSR.留在适当位置的0.1 μF和1 nF电荷泵电源去耦电容为耦合信号提供一定衰减,因此发生器处的信号电平增加,直至在各频率点下引脚上直接测得17.4 mV.结果如图7所示。图7.ADF4150HF电荷泵电源抑制曲线图
在PLL环路带宽内,随着频率增加,电源抑制最初变差。随着频率接近PLL环路带宽,纹波频率以类似于基准噪声的方式衰减,PSR改善。该曲线图显示,需 要具有较高开关频率(理想情况下大于1 MHz)的升压转换器,以便尽可能降低开关杂散。另外,PLL环路带宽应尽可能降至最低。
图8.ADP1613升压转换器EXCEL设计工具
作为最终实验,将高压电荷泵的PSR与有源滤波器(目前用于产生高VCO调谐电压的最常见拓扑结构)进行比较。为执行测量,使用无源环路滤波器将幅度为1 V p-p的交流信号注入ADF4150HV的电荷泵电源(VP)与图6的测量设置相同。后以有源滤波器代替相等带宽的无源滤波器,重复相同的测量。所用的有 源滤波器为CPA_PPFFBP1型,如ADIsimPLL所述(图9)。
图9.ADlsimPLL中CPA_PPFFBP1滤波器设计的屏幕视图。
为提供公平的比较,电荷泵和运算放大器电源引脚上的去耦相同,即10 μF、10 nF和10 pF电容并联。测量结果显示于图10中:与有源滤波器相比,高压电荷泵的开关杂散水平降低了40 dB至45 dB.利用高压电荷泵改善的杂散水平部分可解释为通过有源滤波器看到的环路滤波器衰减更小,其中注入的纹波在第一极点之后,而在无源滤波器中注入的纹波位 于输入端图10.有源环路滤波器与高压无源滤波器的电源纹波电平
最后一点:图1所示的第三电源电轨(分压器电源,AVDD/DVDD-与VCO和电荷泵电源相比具有较宽松的电源要求,因为PLL(AVDD)的RF部分 通常是具有稳定带隙参考偏置电压的双极性ECL逻辑级,所以相对不受电源影响。另外,数字CMOS模块本质上对电源噪声具有更强的抵抗力。因此,建议选择 (DVDD)能够满足此电轨电压和电流要求的中等性能LDO,并在所有电源引脚附近充分去耦;通常100 nF和10 pF并联就够了。台积电位于亚利桑那州的晶圆厂(Fab 21)已于2025年6月完成首批4nm制程晶圆生产,数量达2万片,涵盖英伟达Blackwell AI GPU、苹果下一代A系列移动处理器及AMD第五代EPYC数据中心芯片。此举标志着美国首次实现尖端制程本土化量产,但晶圆仍需运往中国台湾进行CoWoS先进封装,凸显美国后端产业链短板。
6月17日,亚马逊AWS与韩国SK集团联合宣布,将在韩国蔚山市建设总电力容量达103兆瓦的超级AI数据中心。该项目规划部署60,000颗高端GPU,建成后将成为韩国规模最大的人工智能计算基础设施。据项目规划文件显示,项目总投资额达45亿美元,其中AWS单独注资40亿美元,预计2027年11月完成一期41兆瓦供电系统建设,2029年2月实现全容量运营。
随着大模型训练与推理需求激增,AI芯片单卡算力持续攀升,高功耗带来的高温升问题已成为制约技术发展的关键瓶颈。实验数据表明,当芯片工作温度接近70-80℃时,温度每升高10℃,其性能将骤降约50%。传统风冷及均温板(VC)技术依赖被动式相变散热,受限于二维平面导热模式,已无法满足高功率密度设备的散热需求。在此背景下,液冷技术凭借主动循环冷却液的特性展现出革命性优势——液体导热能力是空气的25倍,体积比热容高达空气的1000-3500倍,对流换热系数可达空气的10-40倍。而在液冷系统的核心组件中,压电微泵因其响应快易控制易集成的特性备受关注,却长期受困于驱动电压高控制精度低等技术难题。南芯科技最新推出的SC3601压电驱动芯片,正是瞄准这一技术空白,以190Vpp驱动电压和突破性能效表现,为移动智能终端散热带来全新解决方案。
半导体清洗设备龙头盛美上海(688082)近期披露的机构调研显示,公司产能利用率持续饱和,第三季度订单已全部排满,第四季度订单即将满载,业务能见度覆盖2025全年。这一强劲需求得益于全球半导体行业的复苏及公司在细分领域的差异化技术壁垒。2024年公司实现营业收入56.18亿元,同比增长26.65%;2025年第一季度归母净利润达2.46亿元,同比增幅约200%,显著高于行业平均水平。
近期全球DRAM市场经历剧烈波动,DDR4现货价格出现近十年最大涨幅。2025年6月13日,DDR4 8Gb(512M×16)单日暴涨7.99%,16Gb(1G×16)涨幅达7.9%;截至6月17日,DDR4 16Gb现货价再涨6.32%至9.25美元,4Gb规格更单日飙涨8.77%。近三个交易日累计涨幅突破20%,二季度以来部分规格涨幅超130%。这一异常波动直接触发产业链抢货潮,深圳华强北经销商反馈“每日报价跳涨,现货一票难求”。