发布时间:2011-09-6 阅读量:712 来源: 发布人:
中心议题:
*新器件扩展了USB市场的CrystalFree™振荡器产品系列
拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布,推出全球首个支持苛刻的 5Gbps 超高速控制器应用要求的新器件系列,扩展了IDT 在 CrystalFree CMOS 振荡器产品线的产品组合。
新系列的IDT CMOS 振荡器符合所有的超高速 USB 3.0 规格,包括频率精度和抖动,同时满足这些应用对超低功耗的要求。这些器件还支持低频周期信号(LFPS) 以及在USB3.0暂停模式下的计时功能并同时满足可选的第二级超低功耗LFPS振荡器。该特征可帮助从 USB 3.0 控制器移除所有的频率参考电路,降低整体解决方案成本和面板空间。这些器件获得了早期客户的兴趣,其设计成功包括 USB 3.0 闪存驱动和 USB 3.0 到 S-ATA 桥器件。
此外,IDT 扩展了支持高速 USB 2.0 接口的 CMOS 振荡器产品组合。新增功能包括支持 -40°C 到 85°C 的工业温度范围,且能检测 USB 晶振驱动器电路的状态,以简化石英晶体谐振器置换。有了该技术,客户可以采用 IDT 的 CrystalFree 振荡器代替石英晶体谐振器,满足 USB 暂停模式的电源要求,在无需对晶体驱动器电路做出任何特殊改变的前提下获得有源振荡器的性能,且价格不会增长。
IDT 公司硅频率控制部总经理 Michael S. McCorquodale 博士表示:“随着 CMOS 振荡器技术在数以亿计美元的计时市场代替传统的石英晶体,频率控制市场正经历着一场巨变。因此,许多公司都充分采用新技术来保持竞争力。东莞群联电子股份有限公司(Phison Electronics) 就是新近获得 IDT 关键专利授权,采用 CMOS 振荡器技术用于他们的 USB 控制器产品的一个精彩案例。鉴于在硅计时解决方案的领导地位,包括CMOS振荡器,丰富的专利组合和一流的CrystalFree 晶振,IDT在各个尺寸上与石英产品竞争,并利用其得天独厚的优势促进其转变的产生。
IDT 是开发 CMOS 振荡器技术备受认可的全球领先厂商,CMOS 振荡器技术用于石英晶体谐振器和振荡器代替,其中包括 35 项已经获得和正在申请的专利。公司最初的产品应用在USB计时芯片的替代,是业界第一,并且获得了显著和持续的商业成功,特别是在台湾和中国大陆市场。新的 IDT 产品系列扩展了其在该领域的成功,补充了在 CrystalFree
CMOS 振荡器方面的产品。
供货
符合 USB 3.0 的 CrystalFree 器件系列已经向合格客户供货,并采用业界标准、晶体振荡器兼容的 5x3.2x0.85mm 和更小的2.5x2.0x0.55mm 封装。该器件也可提供DIE形式,应用在多芯片封装(MCP),板上芯片(CoP)和多芯片模块(MCM)装配上。欲了解 IDT 业界领先的 CrystalFree CMOS 振荡器的更多信息,请联系IDT 的本地销售代表。
2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。