全新超高速1200V IGBT系列可在较高频率下提升功率密度和效率

发布时间:2011-09-6 阅读量:758 来源: 发布人:


中心议题:
       *全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。

全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术,可显著降低开关及传导损耗,从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化,如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用,而且为电机驱动应用提供10微秒短路功能,与其它IR产品相辅相成。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR全新超高速1200V沟道IGBT系列具备多种性能优势,有助于提升系统的效率;同时通过降低开关的损耗及提高开关频率,减少散热器的尺寸与磁元件的数量,从而降低整体系统的成本。”

新系列包括电流介于 20A 和50A 之间的封装器件,以及高达 150A 电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区(RBSOA)、正VCE(on)温度系数,以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属(SFM),以提高热性能、可靠性及效率。

 

产品规格

器件编号

封装

I(nom)

Vceon

Rth(j-c)

IRG7PH35U

IRG7PH35UD

TO247

TO247 - Copack

20

1.9

0.70 oC/W

IRG7PH42U

IRG7PH42UD

TO247

TO247 - Copack

30

1.7

0.39 oC/W

IRG7PH46U

IRG7PH46UD

TO247

TO247 - Copack

40

1.7

0.32 oC/W

IRG7PH50U

IRG7PSH50UD

TO247

Sup.TO247 - Copack

50

1.7

0.27 oC/W

新器件现正接受批量订单。如需数据资料及IGBT产品选型工具,请浏览 IR的网站 www.irf.com。通过 http://mypower.irf.com/IGBT/可直接获取产品选型工具。

专利和商标

IR®是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

 

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