发布时间：2011-08-21 阅读量：747 来源: 发布人:
中心议题：
*带开关控制器的电流镜CAT2300
系统级电源管理方案为便携计算机及网络设备的组合型低功率电流监测提供支持
2011年8月18日 –应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NSSENSEFET® 功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理，用于便携计算机及网络设备等应用。
精确控制及匹配SENSEFET的SENSE输出与CAT2300的KELVIN电压引脚，确保SENSEFET完整工作范围内的精确电流监控。
CAT2300提供了分立电路方案之外的单芯片方案选择，能够为0.9伏(V)至5 V电源输入端提供无传感器的精密电流测量。这新器件提供达70毫安(mA)的电流镜——相当于所测电流的25安(A)，集成功率MOSFET的逻辑电平ON/OFF控制及其自身电路，将功耗降至几乎为零。这器件还包含软启动功能。关闭模式下的电流消耗小于1微安(µA)，配合电池供电应用延长使用时间。CAT2300采用节省空间的低高度2 mm x 3 mm TDFN-8封装，适合用于完整的-40 ºC至+85 ºC工作温度范围。
NTMFS4833NS及NTMFS4854NS均为30 V、N沟道SENSEFET MOSFET，提供无损耗的电流感测及更高的精度。它们还具有低导通阻抗、低电容及低门电荷，将导电、驱动器及开关损耗降至最低。NTMFS4833NS和NTMFS4854NS的额定电流分别为26 A和24 A。
(6).jpg)
安森美半导体功率MOSFET副总裁Paul Leonard说：“以我们的双器件组合替代包含多个元器件的分立方案，能够提供节省印制电路板(PCB)占位面积、降低功耗及提升可靠性等优势。CAT2300经过了优化，与我们的SENSEFET器件协同使用，提供简单、紧凑及高能效的精确电流监控方案，用于广泛的固定及便携设备应用。”
封装及价格
CAT2300采用无铅、符合RoHS指令的TDFN-8封装，每批量3,000片的单价为0.56美元。NTMFS4833NS及NTMFS4854NS采用无铅、符合RoHS指令的SO-8扁平引脚封装，每批量1,500片的单价为0.87至1.60美元。
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）迎来开门红，整体出货量达到890万台，同比增长12%，呈现稳健复苏态势。与此同时，平板电脑市场表现更为亮眼，出货量达870万台，同比大幅攀升19%，显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日，上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台，重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用，彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
