Vishay将举办中国西部电源研讨会探讨电容器、MOSFET等的应用

发布时间:2011-08-15 阅读量:669 来源: 发布人:


中心议题:
       *中国西部电源研讨会涉及内容

研讨会将涉及新能源、军工、通信和工业应用中的电容器、MOSFET、电源模块、二极管和光耦合器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布将于中国电子展同期举办中国西部电源研讨会(West China Power Seminars),时间和地点分别是8月23日上午9点30分至12点10分在成都明悦大酒店,8月25日在西安曲江国际会展中心。每场研讨会将有4位专家做技术报告,探讨电容器、MOSFET、电源模块、二极管和光耦合器在新能源、军工、通信、工业电源和其他行业中的应用。研讨会面向研发工程师,用中文讲解,CEF的观众可以免费参加。                         

在8月23日上午9点30分至10点10分,以及8月25日上午10点10分至10点50分,Tony Wei将介绍二极管和电源模块在太阳能及工业领域中的应用,包括低正向压降的45V TMBS肖特基二极管在太阳能接线盒用作旁路二极管,以及用在不同类型太阳能逆变器中的逆变电源模块、FRED® Pt超快二极管和晶闸管。

Jose Espina和Xiao Lu将在8月23日上午10点10分至10点50分和8月25日上午11点30分至12点10分两个时间段,介绍使用光耦合器来改进系统设计的技巧。报告的重点是如何用光耦合器大幅提高现有系统的性能,以及对危及人身安全的电压级别提供安全隔离。

在8月23日上午10点50分至11点30分和8月25日上午9点30分至10点10分两个时间段,Vincent Tong将介绍Vishay Siliconix的高、中、低压MOSFET的晶圆制造和封装技术,以及UPS、通信和替代能源应用中的电源管理问题。

Michael Huang将在8月23日上午11点30分至12点10分和8月25日上午10点50分至11点30分,介绍Vishay电容器在军工和替代能源应用中的使用。报告重点是Vishay的DC-link薄膜电容器、铝101/102 PHR-ST系列高可靠性钽电容器和高可靠性的MLCC器件。

预提前注册研讨会,请访问:

http://www.cntronics.com/public/seminar/content/sid/34 (成都),和

http://www.cntronics.com/public/seminar/content/sid/32 (西安)。

 

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