发布时间:2011-08-13 阅读量:831 来源: 发布人:
中心议题:
*用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 8 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质,提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。
近年在超高电磁场技术发展下MRI的最新技术可以大大提高影像的清晰度。用于MRI或周边设备中的电子元器件要求采用不会干扰磁场的无磁性元器件。为满足这种需求,Vishay的VJ系列MLCC采用无磁性材料制造,在最后封装之前针对磁特性进行了100%的安全筛选。
Vishay的VJ系列器件采用湿法制造工艺和可靠的贵金属电极(NME)系统。Vishay的新款无磁系列电容器可以在使用导电环氧树脂粘合或红外回流焊的SMT工序中进行组装。这电容器比含有磁性材料的标准电容器的干扰较少。器件一般用在MRI设备、植入式医疗设备、对强磁性敏感的设备、电子测试系统和高端音频放大器的滤波电路中。
VJ系列具有0402至3640共11种外形尺寸,可承受6.3VDC~3000VDC的额定电压。器件的电容值范围为0.5pF~56nF(采用C0G电介质)和100pF~6.8μF(采用X7R/X5R电介质),工作温度范围-55℃~+125℃。电容器的容值温度系数(TCC)在-55℃~+125℃(C0G)条件下为±30ppm/℃,在-55℃~+85℃(X5R)条件下为±15%,-55℃~+125℃ (X7R)条件下为±15%。
器件符合RoHS指令2002/95/EC及符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。
VJ系列无磁性电容器现可提供样品,并已实现量产,标准订货的供货周期为九周到十四周。。
2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。