基于AP3031的高效LED背光驱动电源方案

发布时间:2011-07-28 阅读量:1141 来源: 我爱方案网 作者:

中心议题:
    * 基于AP3031的高效LED背光驱动电源方案


随着电力电子技术的发展,越来越多的便携设备开始使用中小尺寸(7`~10`)的液晶面板作为显示输出装置。由于便携设备电池容量有限,低效率的背光电源方案会严重缩短设备的工作时间,因此如何提高背光驱动的效率显得至关重要。

与此同时,随着市场竞争日趋激烈,生产成本也成为考量驱动方案的一个重要指标。

目前业界通常使用双级供电的电源方案为LED提供背光驱动,即从输入电源通过一级降压电路将电压降至5V,然后再通过一级升压电路为背光LED提供合适的驱动电压。这种方案的缺点是使用了两级供电,效率低而且成本偏高。

AP3031是BCD公司基于Poly emitter 工艺研制的新一代背光驱动IC,其特点是将芯片供电电压的最大值由业界常见的6V提高至20V。基于AP3031耐高压的特点,本文改进了背光驱动的方案,期望能够提高变换器的效率,同时降低方案成本。

高输入电压方案 
 

图1 升压型背光驱动

图1是常见的升压型背光驱动,其中输入电压Vin=5V,由电池电压经过一级降压电路得到。输出电压约为10V,驱动3x13的LED矩阵。使用示波器测量升压电路中各个功率器件的电压电流波形,可以得到各功率器件的损耗功率,升压电路的

功率损耗分布如图2所示。
 

图2 升压型背光驱动电路功耗分布图

由图2可以看出,导通损耗占了变换器损耗的最大部分,而导通损耗是电流流过功率管(图1中的Q和D)时产生的损耗。以Q管为例,Q管上的电压电流波形如图3所示。
 

图3 电感电流波形图

所以Q管的导通损耗PQcon-loss为:


由式1~2可以看出,在输出功率Pout一定的情况下,输入电压与导通损耗成反比,因此选择较高的输入电压可以有效降低功率开关管的导通损耗,提高变换器效率。
 

图4 电感电流波形图
 

 


实验测试结果如图4所示,变换器的效率随着输入电压的增加而增加。最高可至93%,比5V输入时提高8%。需要注意的是,此方案中的供电电压必需要小于输出电压,当供电电压高于输出电压(如使用三芯锂电池直接供电),可采用下面的

单级Sepic变换器方案。
 

图5 sepic电路图

单级Sepic变换器方案

Sepic电路既可以实现升压,也可以实现降压,所以非常适用于输入电压变化较大的便携式系统。同时,因为AP3031高达20V的耐压值,使得系统可以使用一级Sepic电路直接进行背光驱动。图5为单级Sepic背光驱动电路图,其工作原理如

图6所示。
 

图6 Sepic工作原理图

图6中Sepic电路工作可以分为两个阶段:a. Q1管导通阶段,电流流过L1并且线性增加,C1电容通过L2放电,L2电流也线性增加;b. Q1管关断阶段,电流流过L1向C1进行充电,电流线性减小,同时L2向负载放电,电流线性减小。具体各

点波形如图7所示。
 

图7 Sepic电路图

结合各点波形对变换器中的两个电感L1和L2写出伏秒积平衡公式为:


由式3可以求出:


由式4可以看出Sepic电路既能升压,又能降压,能够适应大范围的输入电压的变化。与传统两级转换(Buck to Boost)电路结构相比, Speic电路省掉一级功率转换电路,可以显著提高背光效率,实验结果如图8所示。
 

图8 Sepic电路效率图

背光电源方案的选择

依前文所述,系统背光电源方案的选择,主要取决于系统的供电结构:

* 对于采用5V DC供电的系统(如数码相框等),可以使用AP3031 Boost电路对背光进行供电。

* 对于采用双芯锂电池供电的系统(如便携式DVD等),也可以直接使用AP3031 Boost电路对背光进行供电,这样可以减小前级Buck电路中功率器件的过流能力需求,降低器件成本。

* 对于采用三芯或三芯以上锂电池供电的系统(如上网本等),可以采用AP3031 Sepic电路对背光进行供电,这样可以减少一级Buck功率变换电路,节约成本,提高系统可靠性。

本文小结

从本文可以看出,使用BCD公司的AP3031,可以设计出更高效率的LED背光驱动电源,同时还可以显著的降低背光电源的成本。这些方案技术成熟,优势明显,具有广阔的应用前景。
 

相关资讯
三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。

苹果获智能眼镜模块化专利 液态玻璃技术革新可穿戴设备未来

美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利(编号:US 11,985,623 B2),揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"(Securement Arms)创新结构,解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸,采用自适应力学分配系统,将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域,有效降低鼻托70%以上压力负荷。

激光二极管驱动存储革命:索尼半导体与西部数据联手拓展HAMR硬盘市场

日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作,索尼将为西部数据下一代HAMR(热辅助磁记录)硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求,此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元(约合3200万美元)在泰国工厂新建生产线,预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。

TP-Link芯片业务战略收缩:WiFi 7研发受阻与全球合规挑战

2025年6月12日,TP-Link外销主体联洲国际(TP-Link Systems)位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员,从通知到离职手续仅用半天完成,涉及算法、验证、设计等核心岗位员工,仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案,远高于中国法定的N+1标准,被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出,此次调整主要针对WiFi前端模块(FEM) 研发线,而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件,其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。

DDR4内存现十年罕见价格倒挂,产业链急备货应对停产危机

2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动,DDR4内存现货价格单日暴涨近8%,创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示,截至6月13日,DDR4 8Gb(1G×8)3200颗粒均价飙升至3.775美元,单周涨幅达38.27%,本季度累计涨幅更突破132%。反常的是,DDR4价格竟反超新一代DDR5,形成罕见“价格倒挂”现象,业界直呼“十年未遇”。