发布时间:2011-07-22 阅读量:704 来源: 我爱方案网 作者:
中心议题:
*CP电路的分析
现在开始分析CP电路,我分析的结果好像与标准的数值略有不同,有点奇怪。
这里首先把所有的参数进行定义:
注意,在标准上定义的等效数值是取整而来。
3%是标称误差1%极化而来,这一点基本已经成为共识,注意这是金属铀膜的厚膜贴片电阻。
按照上面的等效,需要在S1的地方使用一个小功率的高边MOS管,在S2的地方使用一个NMOS管。而且不考虑电源的源电阻,也不考虑缓冲器的等效电阻(这里问题较多,首先先考虑直流的情况)
以上的计算过程是完全按照等效电路图而言的
供电设备检测得到的电压结果如下:
汽车检测得到的电压如下:
以上的结果可以发现,由于需要区分多个状态,因此需要采用单片机的AD口实现,当然又要进行PWM占空比的测量,也需要用IO口实现,因此需要两个不同类型的口进行识别。
1.AD口的设计
在这些状态中,由于超过5V,不能使用AD直接采样,需要进行比例缩放。由于最大电压为12.6V,因此缩小0.4倍,此时电压为5.04.由于供电设备端的电压12V由AC-DC生成,5V可由LDO产生,并且使用一个高边的MOS管开控制PWM输出。
假定分压电阻为100K和150K,误差也分别为3%,LDO电压波动为+/-2%,然后整个计算需要进行一些调整(并联250K的电阻,认为结果不变,否则需要考虑导线漏电阻等,整个模型变得较为复杂;同时不考虑AD的漏电流,在电阻较大的时候结果会受此参数影响):
首先可以得到供电端的AD口数值:
其次得到车辆端的AD口数值:
2.PWM口读取
这里应该可以用比较器实现。
整个电路配电阻的过程,应该是一个正向的过程,只要将后面需要的结果,将前面的变量设定后,可进行正向的计算。
PWM的占空比的设定在标准中有着精确的定义。这里有个小问题,如果PWM信号定义的电流与实际电网的电流存在大的误差,可能造成车载充电机的工作异常。
总体而言,此电路有着多种功能,多种状态表征着应答机制。特别的当两者保护线未连接的时候,由于电位没有相同的参考点,则会比较容易检测出来。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。