光电传感器的电磁兼容设计

发布时间:2011-07-21 阅读量:1264 来源: 发布人:

中心议题:
    * 光干扰的抑制
    * 电路板电磁兼容
    * 输出电路电磁兼容
    * 抗干扰编码


广泛应用于工业自动化领域的光电传感器,一般是开关型的,被称为光电开关。光电传感器由投光器、受光器、集成电路、输出电路等组成,属弱电检测传感器。它 容易受到强电设备的电磁干扰。它工作时,引起电磁辐射,形成电磁干扰。当动作频率较高、多个传感器相距较近时,仪器仪表、总线系统、计算机等弱电设备会受 到强烈的干扰,传感器本身也会受到强烈的干扰,此时电磁兼容问题显得更突出。电磁兼容设计的目的,一是使传感器本身在电磁环境中能正常工作,避免出现误动 作,二是避免传感器成为电磁干扰源。

1 光干扰的抑制

光电传感器以光为媒介进行无接触检测。光是一种频率很高的电磁波[1]。光干扰也算是一种电磁干扰,光干扰是传感器误动作的主要因素之一。环境光、背景光 和周围其它光电传感器发出的光是光干扰源。以红外线为媒介进行检测则可减小可见光的影响,红外光也不影响可见光。红外线光电传感器可用滤光镜滤去可见光。 对于周围环境其它光电传感器的光干扰,可用外壳、套筒、夹缝来抑制[2]。图1是一种受光器结构图。



投光器外壳结构设计得当,可使发出的光成为规则光束,而非散射状,使用时又安装得当,则投光器难成为光干扰源。传感器设计时,采用偏振光及高频调制的脉冲光,采用同步检波方式,都有利于抑制光干扰。  

2 电路板电磁兼容

光电传感器通过高频调制产生高频电信号。在高频下,一根导线等效为一个电感。因此,须尽可能缩短传感器内高频线的长度。印制板迹线设计时要考虑尽可能减小 电磁辐射。迹线辐射比集成电路辐射要强。迹线如构成如图2所示的大小相等、方向相反的电流环路,则会向空间辐射磁场,也会接受空间的磁场。


图中i为环路电流。设环路面积为S,电信号频率为f,测量天线到辐射平面的距离为d,测量天线与印制板平面的夹角为θ,则测得电场强度为[3]


此时为差模辐射。可通过减小环路面积S和环路电流i来减小差模辐射。共模辐射可用对地电压激励的、长度小于1/4波长的短单极天线来模拟。共模辐射的电场强度为[3]


式中l为短单极天线长度,共模电压转换成了差模电流i。减小地电压和将差模电流旁路到地可减小共模辐射。

总的来说,印制板迹线长度宜短,宜增加宽度,但不宜突然增宽,不宜突然拐弯。尽可能增大地线面积以减小地线阻抗。高频信号线、电源线应尽可能平行地靠近地 线。传感器应选用低功耗器件,如CMOS集成电路。CMOS器件抗干扰能力强,CMOS逻辑电路抗扰度高达20%。低功耗器件发热小,这有利于传感器设计 得更紧密,有利于传感器稳定工作。 

 

 



3 输出电路电磁兼容

输出电路是传感器的末级电路,一般是无触点开关电路。常用输出元件有三极管和晶闸管。三极管状态改变时,引起电磁辐射。在三极管集电极与发射极之间并接RC吸收电路,用电感L来抑制di/dt,就可减小电磁辐射的能量[4],如图3所示。


输出电路电磁兼容设计的另一种方法是屏蔽。图4中,晶闸管被屏蔽,LC滤波网络用来抑制晶闸管动作时产生的浪涌。滤波网络与屏蔽罩均接地。

4 抗干扰编码

现在,通信、接口、总线技术的发展也促使二进制传感器的智能化。AS-Interface是一个执行器-传感器-接口总线系统。AS-Interface 总线系统最多可安装248个二进制传感器。AS-Interface芯片与光电传感器配合,可使传感器与AS-Interface总线相连。同一总线上, 多个传感器相互干扰的问题比较严重。这可在传感器通信时,在信息中加入监督码元(冗余码)进行抗干扰。如用00000、11111代替0、1。当收到 10111,那可认为错了一位,并自动纠正第二位。  5 电磁兼容试验

电磁兼容设计靠电磁兼容试验来验证与改进。现在,有了比较完善的电磁兼容试验方法和专门的试验设备。开关电器动作时,形成强烈的干扰,产生瞬态脉冲。 IEC61000-4-4标准对电快速瞬变脉冲干扰作出规定,分为单个脉冲、一群脉冲、脉冲群。脉冲群波形如图5所示,周期为300ms,脉冲束宽度为 15ms。


单个脉冲和一群脉冲中单个脉冲的宽度要小于15ms。IEC1024规定的雷电模拟脉冲的宽度也要小于15ms。光电传感器内部采用小电容对瞬变脉冲滤波 比较适应。传感器若受主机控制,则可在软件中采用数字滤波、延时指令来抑制瞬变干扰。光电传感器辐射敏感度试验结果如表1所示。


采用以上设计后,光电传感器既没有干扰80C51单片机实验系统,也没有干扰F-40M型PLC。它在断路器严酷环境中能稳定地工作。经过电磁兼容设计,光电传感器可靠性及质量显著提高。

相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。