PQFN封装采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET

发布时间：2011-07-20 阅读量：654 来源: 发布人:

中心议题：
*新型PQFN双器件为客户提供高密度解决方案

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET，提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内，配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用，为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今，IR新增了这些封装，能够提供一系列低压PQFN产品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件，以及单器件或双器件，它们都拥有极低的导通电阻。”

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号	封装	BV (V)	最大Vgs	在10V下的典型/最大导通电阻 (mΩ)	在4.5V下的典型/最大导通电阻 (mΩ)	在2.5V下的典型/最大导通电阻 (mΩ)
IRFHS9351	PQFN 2x2	-30V	+/- 20 V	135 / 170	235 / 290	-
IRLHS6276	PQFN 2x2	+20V	+/- 12 V	-	33 / 45	46 / 62
IRLHS6376	PQFN 2x2	+30V	+/- 12 V	-	48 / 63	61 / 82
IRFHM8363	PQFN 3.3x3.3	+30V	+/- 20 V	12/15	16 / 21	-

有关产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具请浏览IR 的网站 www.irf.com。

专利和商标

IR® 和HEXFET®是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。

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