发布时间：2011-07-16 阅读量：1077 来源: 我爱方案网 作者:
中心议题：
*充电模式及方式
昨天写得太匆忙了，闲着有空写一下昨天那篇文章的前传。
从根本上而言，充电可分为以下的三个方面：
.jpg)
以上的三种模式，分为交流和直流两种，最大基数的充电是以交流为主的，而直流快速充电是作为紧急的方法。在国外来看，在家充电将会占到相当大的一个百分比。
与之对应的充电过程的结构，可以按照以下的结构来说明：
.jpg)
各种不同的方式可由下图表示：
.jpg)
每个部分其实牵涉到了很多的法规，在后一篇文章中将详细的进行介绍。
先谈谈世界的电网的情况，有两张图很好的介绍了情况：
配电网结构
.jpg)
基本电压和频率
.jpg)
附录：
TN network
TT network
IT network
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）迎来开门红，整体出货量达到890万台，同比增长12%，呈现稳健复苏态势。与此同时，平板电脑市场表现更为亮眼，出货量达870万台，同比大幅攀升19%，显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日，上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台，重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用，彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
