发布时间：2011-07-13 阅读量：1159 来源: 发布人:
中心议题：
*高性能、低功率 ADC 选择
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 7 月 13 日– 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 高兴地宣布其高性能、高速 ADC 系列有了新的出口管制分类号 (ECCN)，该系列的 ADC 在 12 位分辨率时具高达 200Msps 采样率、14 位时为 125Msps 以及 16 位时为 10Msps。按照新的美国出口管理条例 (U.S. Export Administration Regulations)，这些器件已重新分类，出口管制分类号从 ECCN# 3A001 变为不那么严格的 ECCN# 3A991。这新分类使工程师能够采用凌力尔特的 ADC 来开发和出口可在国际市场上自由竞争的高性能产品。
凌力尔特提供了很多高性能、低功率 ADC 选择，这些 ADC 最大限度地提高了所希望的系统性能。就高性能通信应用而言，LTC2207-14 14 位 105Msps ADC 实现了 77.3dB SNR 和 98dB SFDR。在 16 位 10Msps 采样率时，LTC2202 具 81.6dB SNR 和 100dB SFDR 的性能，非常适用于 CCD (电荷耦合器件) 和红外线摄像机、X 光以及流式细胞仪/光谱学应用。
就最低功率而言，中国的设计师现在可使用 14 位 25Msps 至 125Msps 解决方案，如具并行输出的双通道 LTC2145-14 ADC 系列、或具串行 LVDS 输出的 LTC2268-14 双通道 ADC 和 LTC2175-14 四通道 ADC，当采用一个 1.8V 电源时，这些器件的功耗约为每 Msps 1mW。这些 ADC 以超低功耗提供无与伦比的性能，从而保持了手持式测试和仪表、雷达/LIDAR、医疗成像、PET/SPECT 扫描仪、军用无线电设备、智能天线系统以及一系列低功率通信系统等应用的便携性。
除了全面的高性能 ADC 产品组合，凌力尔特还提供了种类繁多的RF 混频器，包括 LTC5569 和 LTC5590 / 91 / 92 / 93 系列双通道、大动态范围、低功率混频器，直接转换调制器和解调器，VGA，滤波器，功率检测器，低失真放大器以及 ADC 驱动器，从而可为下一代无线基站和高性能无线电设备构成完整的接收信号链路。凌力尔特的客户可以依靠我們具深度信号链路设计知识和高超技能的应用工程师团队来提供设计指导和技术支持，以确保短的设计周期和更快的上市时间。
可在以下网址了解这些 ADC 产品：www.linear.com.cn/hsadc_nolicense。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
