发布时间：2011-07-5 阅读量：639 来源: 发布人:
中心议题：
*开关高功率 IGBT 设计
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器（gate driver） ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应（latch-up）及贯通问题（shoot-through），实现少于 10ns 的传输延迟时间。
ZXGD3006E6 的操作范围涵盖 40V，可全面改善开关器件，从而把通态损耗降至最低。该器件同时允许从 +20V 至 -18V 的闸极驱动，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 误触发（false triggering）。
这个闸极驱动器提供独立电源和路漏输出（sink output），可分别器件开启及关闭时间，从而让电路设计师能为特定应用设定更佳的开关功能。再加上拥有 10Amp 的峰值电流处理能力，该器件可控制大闸极容性负载的充电和放电，以减少更高运行频率下的 EMI（电磁干扰）问题和跨导风险（cross conduction）。
(1).jpg)
该闸极驱动器采用坚固耐用的 SOT26 封装，可比竞争器件提供更高的脉冲电流，确保减少热耗散，从而提升产品可靠性。此外，新器件的封装引脚经过优化，能简化印刷电路板布线，并减少寄生引线电感。
如需进一步了解产品信息，请访问 www.diodes.com。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
