发布时间：2011-06-30 阅读量：822 来源: 发布人:
中心议题：
*汽车应用的超势垒整流器
Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器（Super Barrier Rectifier，简称SBR）系列。与同类肖特基或超快二极管相比，该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区（SOA）。这些坚固耐用的整流器让汽车设计师可提升电机控制、显示板以及 LED 照明电路的可靠性。
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获 AECQ101 认证的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ 及SBR3045CTBQ 整流器利用 Diodes 的专利 SBR 技术，可处理 20A 及 30A 的输出电流，并采用业界标准的 TO-263 封装。SBR1045D1Q 的额定电流则为 10A，并采用较小的 TO-252 封装。
该 SBR 系列的低正向电压降可大大提升电路功率效率，并实现更低温运行，从而改善可靠性。该器件所具备的较高反向雪崩额定值以及较低反向漏电流可进一步提升可靠性。高反向雪崩额定值可提供更强保护，防止瞬态电压尖峰；低反向漏电流可提供更高的 SOA，还可在高温操作情况下防止热失控。
如需进一步了解产品信息，请访问 www.diodes.com。 SBR 是 Diodes 公司的注册商标。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
