发布时间:2011-06-25 阅读量:805 来源: 我爱方案网 作者:
图2-2为两个双路输出电源模块串联接线方式,因此,可得到四组Vout相加后的输出电压。单一个双路输出电源模块,其两组输出之启动时间是一致的,故仅需在+/-Vo1及+/-Vo2各并上二极管即可,如图左所示。在上图中,输出端共并上4颗二极管,此方式亦可行,但较浪费成本。串联后的输出电压,可再加上输出电容,用以降低因两电源模块差频所造成的Ripple & Noise。 四 、博大电源模块并联应用 1. Drop Resistor: 图3-1 在两组电源模块的输出端,分别串接Drop电阻,再并联使用,如图3-1所示。此种方式主要利用输出电流对R1及R2形成的线性电压降,使得两组电源模块会尽量达到平衡供应负载的目的,避免输出电压较高的电源模块来提供大部份的负载需求。 2. Decoupling Diode:
图3-2为使用Decoupling Diode方式的输出并联应用方式,其方式为在二组电源模块的输出端,分别串接上二极管,再并联使用。 其原理与Drop Resistor相同,使用D1与D2取代电阻的作用,而使用二极管的好处,还可用来防止不同电源模块之输出电压逆流到另一个电源模块,这在某些电源架构上是需要的。 3. Current Share: 图3-3
1. OR-ing Diode: 图4-1 在两组或多组电源模块输出回路中,各串接二极管后并联连接,使得当单一模块产生异常时,其它模块可接续提供电源,维持系统工常运作。其中二极管应选择低顺向导通电压降(Low Vf),以降低导通损失。 2. OR-ing FET: 图4-2 OR-ing FET的应用方式及作用同OR-ing Diode,主要的差异在于OR-ing FET使用MOSFET取代Diode,以降低导通损失。使用OR-ing FET方式需要额外的控制电路,成本较高。 图5-1 |
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。