发布时间：2011-06-24 阅读量：775 来源: 发布人:
中心议题：
*互补MOSFET 有效限制传导损耗
Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
这对增强模式 MOSFET 的 Vds 为 40V，使其可适用于控制冷却、排气扇、泵、压缩机及打印头的 24V 直流电机系统。当 Vgs 为 10V 时，这对互补MOSFET 的导通电阻低至 25mΩ，因此可有效限制传导损耗，从而减少功耗并增加整体产品效率。
DMC4040SSD 的持续电流额定值为 6A，脉冲电流额定值为 29A，使电机转矩电流（torque current）可达电机启动或失速时所需支持的持续电流的五倍。DMC4040SSD 采用业界标准的 SO-8 封装，与同类的单一 MOSFET 封装相比，更节省印刷电路板空间。
.jpg)
为创建一套完整高效的直流无刷电机控制解决方案，Diodes 特别让DMC4040SSD MOSFET 封装可与 Diodes 旗下的 ZXBM101x 单相预驱动电机控制器系列和相应的霍尔传感器共同部署使用。
如需进一步了解产品信息，请访问 www.diodes.com。
Diodes简介
Diodes Incorporated是一家标准普尔小市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 及罗素3000指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖 LED 驱动器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。
Diodes 公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。
更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：www.diodes.com。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
