发布时间：2011-05-27 阅读量：727 来源: 发布人:
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*Diodes公司推出超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻(ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。
更多产品信息，请访问www.diodes.com。
格科微电子（688728.SH）2024年度财务报告显示，公司年度营收突破63.83亿元人民币，实现35.9%的同比增幅，归母净利润呈几何级增长达1.87亿元，EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略，特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。
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