发布时间:2011-05-27 阅读量:750 来源: 发布人:
中心议题
*Diodes公司推出超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间,其结点至环境热阻(ROJA) 为256ºC/W,在连续条件下功耗高达1.3W,而同类产品的功耗则多出一倍。
因此,该MOSFET的运行温度更低,并可节省空间,加上离板高度仅为0.4毫米,尤其适用于超薄便携式消费电子产品,包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件,这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如,额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ,比同类解决方案低一半以上,有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating),分别为2kV和3kV。
更多产品信息,请访问www.diodes.com。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。