IR公司推出可减少引线电阻、提高电流的新型车用MOSFET

发布时间：2011-05-23 阅读量：649 来源: 发布人:

中心议题：

*新型车用MOSFET系列产品性能简介

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列，与传统的 TO-262封装相比，可减少 50% 引线电阻，并提高 30% 电流。

这款新型车用 MOSFET 系列适合需要低导通电阻 (Rds(on)) 的通用大负荷/高功率通孔应用，内燃机 (ICE) 汽车电动助力转向系统和电池开关，以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用 IR 先进的硅和封装技术，在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。

在标准 TO-262 通孔封装中，除了 MOSFET 导通电阻，源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新 WideLead TO-262 通孔封装可将引线电阻降至不到 0.5 mΩ，大大减少了引线中的传导损耗和热量，在特定的工作温度下，比传统的 TO-262 封装的电流承载能力高30%。根据评估，在直流电为 40A 和 60A 的条件下，WideLead 引线温度比标准 TO-262分别低 30% 和 39%。此外，随着其它封装技术的提高，WideLead 比标准 TO-262 封装中的同等 MOSFET 少传输 20% 导通电阻。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型 WideLead TO-262 封装的设计灵感来自于DirectFET® 封装超低芯片自由阻抗的出色性能，以及传统 TO-262 封装的各种局限性。IR 新型 WideLead 封装中的 MOSFET 新系列在传输高电流的同时，大大降低了引线中的传导损耗和自身热量，从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”

所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。

新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号

封装

V(BR)DSS (V)

10VGS时的

最大导通电阻 (mΩ)

TC 为 25°C时的ID 最大值 (A)

10VGS 时的

QG 典型值(nC)

AUIRF1324WL

TO-262WL

1.3

240

120

AUIRF3004WL

TO-262WL

1.4

240

160

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