IC设计公司热衷28nm工艺

发布时间:2011-05-23 阅读量:666 来源: 我爱方案网 作者:

中心议题
     *功耗问题让IC设计公司热衷28nm工艺


台湾代工巨头台积电首席执行官表示,芯片设计厂商对28nm工艺产品的热情度极高,比40nm工艺准备期同阶段产品数量多三倍以上。

“智能手机和平板电脑是新的杀手级应用,”台积电欧洲区总裁Maria Marced说,“我们预见到28nm设计的爆发。我们流水线上已经拥有89

种产品定案(tape-out,准备流片的方案)。”Marced补充说。她表示台积电目前拥有世界上90%的28nm产品预案。

同时该公司28nm硅已经对部分客户出货,Marced说。“移动互联网要求在同等性能情况下功耗要低得多。”台积电将同时提供高K金属栅级(HKMG)和传统多晶硅工艺,而20nm产品预计在2012年下半年投产。

然而,台积电不准备部署据说是移动设备的福音的FinFET技术,至少14nm节点之前不会。这一策略与英特尔不同,英特尔最近发布了名为三栅

极技术的FinFET器件的应用,使用该公司的1270工艺制程(即22nm工艺)。目前1270工艺准备下半年于英特尔亚利桑那州的F32工厂量产(参阅电子工程专辑报道:英特尔提前量产3D晶体管,进入22nm时代)。

这使得英特尔在工艺尺寸方面比台积电领先了一年左右,并在FinFET器件的应用方面领先更多。据报道FinFET器件在这些精微尺寸上与平面晶体管相比功耗表现更好。



Marced表示,由于英特尔是一家垂直集成化的企业,控制了从设计到制造到测试的各个环节,需要引入到FinFET器件的制造和测试技术都能比台积电更快实现。“而台积电是一家代工企业,由客户提供产品设计,因此需要需要为FinFET器件准备好生态系统,这意味着包括设计工具,IP,设计套件等。对于我们,20nm仍将是平面技术。”

Marced认为台积电2011年代工部门增长速度将超过整体代工产业的原因之一,是杀手级应用智能手机和平板电脑的爆发性增长。台积电的目标是2011年营收增长20%,而预计整体产业增长为15%。同时该公司估计整体半导体市场将仅仅增长2%。
相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。