发布时间:2011-05-13 阅读量:723 来源: 发布人:
中心议题:
* LT3645结构组成及其工作性能介绍
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 5 月 13 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3645,该器件包含一个 500mA (IOUT)、36V 降压型开关稳压器和一个集成的 LDO,LT3645 采用 3mm x 3mm QFN 或 MSOP-12E 封装。LT3645 在 3.6V 至 36V 的 VIN 范围内工作,具 55V 瞬态保护,从而非常适用于汽车应用中所见的负载突降和冷车发动情况。其 0.75A 的内部开关可在电压低至 0.8V 时提供高达 500mA 的连续输出电流。LT3645 采用 750kHz 恒定开关频率,以最大限度降低噪声,同时优化效率。除了主开关通道,集成的 LDO 可用来提供额外的低噪声输出,在电压低至 0.8V 时提供高达 200mA 的连续电流。就微处理器内核电压等应用而言,用主开关输出给 LDO 供电可实现高效率和低噪声。凭借其 3mm x 3mm QFN-16 (或耐热增强型 MSOP-12E) 封装和高开关频率 (这允许使用小型外部电容器和电感器),LT3645 可提供一个紧凑和高热效率的双输出解决方案。
LT3645 的主开关是一个高效率的 750mA、450mVCESAT 开关,该器件在单个芯片内集成了必要的振荡器、控制、逻辑电路和 LDO。由于采用了特殊的设计方法,该器件可在宽输入电压范围内实现了高效率,而其电流模式拓扑可实现快速瞬态响应和卓越的环路稳定性。电流限制的 DA 引脚提供额外的保护以改进总体稳定性。线性稳压器靠 VCC2 引脚工作,该引脚电压范围为 1.2V 至 16V,压差仅为 310mV。LT3645 的其他特点包括电源良好标记、软启动和过热停机。
LT3645EUD 采用
照片说明:具集成 LDO 的 36V、500mA (IOUT) 降压型 DC/DC 转换器
性能概要:LT3645
● 宽输入范围:在 3.6V 至 36V 的输入电压范围内工作,过压闭锁可保护电路通过 55V 瞬态
● 开关稳压器的输出电流为 500mA
● 恒定开关频率:750kHz
● 200mA 低压差线性稳压器,输入为 1.2V 至 16V,输出为 0.8V 至 8V
● VCC2 至 OUT2 的压差为 310mV
● 精确的欠压闭锁
● 抗短路能力高
● 内部软启动
● 停机电流 <2μA
● 小型耐热增强型 16 引线 (3mm x 3mm) QFN 和 12 引线 MSE 封装
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。