发布时间：2011-05-12 阅读量：610 来源: 我爱方案网 作者: 我爱方案网
中心议题：
* DFN3020封装的外观及工作性能
Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
DFN3020 MOSFET系列的占位面积只有6平方毫米，离板高度为0.8毫米，较采用SOT23或TSOP-6封装的器件低四成，适用于平板电脑或上网本等空间有限、体积小巧的消费电子产品的负载开关或升压转换电路。这款互补型DFN3020 MOSFET还可用作半桥 (half bridge) 来驱动工业应用中的电机负载。
这些MOSFET的结点至环境热阻 (ROJA) 为83ºC/W，功耗可连续保持在2.4W的高水平，工作温度也低于SOT23封装MOSFET可达到的水平，因而有助提高可靠性。
ZXMN2AMC (双20V N沟道)、ZXMN3AMC (双30V N沟道) 及ZXMC3AMC (互补30V) DFN3020封装MOSFET现已开始供应。
格科微电子（688728.SH）2024年度财务报告显示，公司年度营收突破63.83亿元人民币，实现35.9%的同比增幅，归母净利润呈几何级增长达1.87亿元，EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略，特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。
RS2604作为一款高集成度、可配置OVP（过压保护）和OCP（过流保护）的eFuse开关，专为12V24V母线电压接口设计，兼顾热插拔保护与动态负载管理。其输入电压覆盖4.5V40V，极限耐压高达45V，适用于工业设备、汽车电子及消费电子领域。通过外部电阻灵活设置350mA至2.5A的限流值，结合±7%高精度电流检测，RS2604在安全性与能效间实现平衡，成为复杂电源系统的核心保护方案。
荷兰半导体巨头恩智浦于2025年4月28日披露的财报显示，公司第一季度营收28.35亿美元，同比、环比均下滑9%，但略超市场预期。在汽车、工业与物联网等核心业务需求疲软的背景下，Non-GAAP毛利率同比下降2.1个百分点至56.1%，自由现金流则维持在4.27亿美元，突显其成本控制能力。值得关注的是，管理层对第二季度营收指引中值（29亿美元）释放出环比复苏信号，但关税政策的不确定性仍为业绩蒙上阴影。
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据，2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元，在全球市场占比提升至22%，展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破，在销售额（10.9%）和出货量（11.2%）两大核心指标上均跻身市场前两强，标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露，该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司（SSS）实施部分分拆，计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段，同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
