发布时间:2011-04-6 阅读量:1423 来源: 发布人:
中心议题:
* IGBT的制作全过程
相关资料:
详解IGBT系统[图文]
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80009002
实拍IGBT内部结构
http://www.52solution.com/data/datainfo/id/4496
IGBT模块及其应用
http://www.52solution.com/data/datainfo/id/4673
如何为电路设计选择适合的IGBT
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80007308
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用研究
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80007569
IGBT测试系统--IWATSU CS-3000
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80008011/page/1
应用案例
风能-太阳能双峰值检测IGBT逆变器的研究与设计
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80008014
智能IGBT在汽车点火系统中的应用
http://www.52solution.com/article/articleinfo/id/80007984
IGBT 在不间断电源中的应用
http://www.52solution.com/data/datainfo/id/2866
基于IGBT的半桥高频开关稳压电源研究
http://www.52solution.com/data/datainfo/id/2157
设计思路:
主变压器用EC-35铁氧体磁芯,初级0.2X20mm铜皮3T+3T,次级0.44漆包线45X4共180T分四段再串联。这样12V输入开环大约有 720V输出。因高压电解选330UF/330v两个串联,高压就设计在稳压600V.保证高压电解的安全。这个变压器将工作在大于100KHZ,主要是发挥小磁芯的功率极限。驱动稳压电路选TL494,过流和欠压保护用双运放完成,12V端用30A保险片接入。整个前级保护完善任意短路电路自锁,保险片不会烧断,免得更换。前级用一对场管推动。
后级频率脉宽由IGBT管控制,独立的隔离DC-DC电路供电。频率脉宽由数字电路生成再由MC33153驱动IGBT。高压工作频率20-100HZ脉宽300-2500US, 两个电位器分别控制互不影响。后级保护功能有过流 ,IGBT管失效,及其它异常都将自锁保护。
选定好元件后画板,考虑体积把前级驱动板和DC-DC驱动板做成独立的小板,尺寸尽量画小。这样整个PCB只有12.5X6CM和我的手机差不多大小。选最快捷的热转印就搞定了3块PCB.
调试比较繁琐。用3.4天才完成,首先调试前级部分。前级最终工作在120KhZ最适合,对我来说也是第一次用到这么高的频率。最终开环静态电流120MA。示波器上几乎观察不到初级线圈上方波的尖峰和振铃。调整好闭环稳定600V输出后静态电流 70MA左右。试过前级各种短路方式保护正常,前级就OK了。调试过程没有拍照比较遗憾。
接着就装配后级电路。DC-DC输出+13V和-5V供后级的频率脉宽和IGBT驱动,这个比较省时一装就成,各项保护功能都正常。比较麻烦的时是电位器的角度的所对应的频率和脉宽刻度。这个要等外壳做完后在面板上画图完成,外壳到今天才完成一半。
今天做了带灯试验,负载先接一个200W的灯泡,这样灯泡的冷阻大约10-15欧姆,试了下最大负载,频率最大,脉宽最大。这样高压很稳定在600V,200W灯泡和接市电亮度相当。然后调小脉宽和最小频率看IGBT带灯泡低阻时的状态,驱动输出正常(灯泡电阻在冷态会低至几十欧姆,这时IGBT会通过极大的脉冲电流,专用IGBT驱动都完善设计安全过流的时间段再适时输出关闭驱动信号)。然后再并联上一个200W的灯泡作负载,这时最高频率和频宽时带载正常,调至很低频率和脉宽时高IGBT就及时自锁保护了。
带载试验是模拟实际的带载和发热情况,一般带200W灯泡工作正常基本就可以实用了,但不会低于两个200W灯泡的并联冷阻的。整个电路在七天基本完成 。一对场管发热很小,用PCB大小的2MM铝板自然散热就可以了,带400W灯泡调最大输出长时间发热严重的元件有 1.5MM的过流取样康铜丝和3300u/16v的滤波电解。其它元件温度正常。
然后测试包括短路开机 ,开机空载短路,负载开机短路等,保证万无一失才可以。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速,车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增,数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议(如TI的FPD-Link、ADI的GMSL)垄断车载SerDes市场,导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月,纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组(NLS9116加串器与NLS9246解串器),通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控,为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案,标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。