发布时间:2011-03-26 阅读量:1038 来源: 发布人:
Rockwell公司应用Ansoft设计流程对其一款开关电源设备进行的EMI设计
1.采用Q3D对开关电源的PCB版图进行寄生参数抽取。
2.在Simplorer中搭建用于传导干扰仿真的虚拟测试平台。图10实物部分为实际测量开关电源传导发射时采用的电路,包括直流电源、线性阻抗稳定网络(LISN)和被测开关电源板。下方为在Simplorer中搭建的虚拟测试平台的原理图,其中蓝色部分采用的是Q3D中抽取的版图寄生参数模型。
3.图11(a)为经过Simplorer仿真得到的由LISN网络输出的共模与差模干扰电压的时域波形,图11(b)为经过FFT变换后得到的共模与差模EMI在150KHz~30MHz的频谱图,图11(c)为仿真结果与实测结果的对比,其中黑线为仿真结果,红线为实测结果,二者有很好的一致性。
4.借助Simplorer仿真平台,设计人员可以在对器件原型加工测试前就对其性能进行充分的“what if”研究,在软件提供的虚拟测试平台上快速对自己的设计思路进行验证。图12为对初始设计进行改进后的传导EMI仿真结果,黑线为初始仿真结果,黄线为 加EMI滤波后的仿真结果,红线为加EMI滤波及XFMR屏蔽后的传导EMI仿真结果,绿线和蓝线分别为CISPRA和CISPRB标准中对传导EMI的 要求。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。