一种简易数字控制的三相逆变电源的研制

发布时间:2011-03-22 阅读量:1028 来源: 发布人:

中心议题
    *介绍了一种简易数字控制的三相逆变电源的研制
解决方案
    *用高频开关电源代替变压器升压和隔离
    *采用预置相位PWM数字控制方案
    *逆变控制电路采用一片EPROM及几片集成芯片构成


1  引言

逆变电路较为常用的是SPWM控制方式。这种方式较容易用模拟电路实现,但脉冲稳定性和抗干扰能力差。市售的用于三相逆变电源的数字控制集成芯片,如 HEF4752等,又存在运算速度受处理器的字长因素影响、价格昂贵等问题。本文介绍了一种用高频开关电源代替变压器升压和隔离的三相逆变电源系统,提出 了一种新型实用的预置相位PWM数字控制方案,其基本思想是将SPWM对应于开关管的脉宽通过仿真预先计算出来,转换为十六进制数后存储于EPROM内。 经地址扫描、锁存后,将预置于EPROM内的数值转换成对应的触发脉冲,以驱动逆变器主电路开关管。逆变控制电路仅采用一片EPROM及几片集成芯片构 成,整个控制器硬件结构简单,降低了成本。

2  系统结构与工作原理

图1给出了本文所提出的三相中频逆变电源的系统原理框图。该系统由推挽式开关电源与三相逆变电源有机地结合起来,是通过直流-交流-直流-交流的变流方式 完成的,逆变电路部分调制比不变,通过调节推挽电路的占空比达到稳定交流输出电压的目的。其主要组成部分有主电路、检测保护电路和控制电路。

图1  三相逆变电源原理框图

2.1  推挽升压电路

根据电路输入电压低,电流大的实际特点,对比了目前常用的推挽式、半桥式、全桥式的优缺点后,升压电路采用了推挽变换电路,其电路结构如图2所示。它具有 使用功率开关器件数量少、驱动电路简单等优点。控制集成芯片采用TL494,芯片提供了一个内部基准电压(5V±1%),其内部误差放大器有一个共模电压 范围,工作电压范围宽(8~40V),最高工作频率可达300kHz,在CT脚和放电脚之间用单个电阻连接可对死区时间进行调整。

图2  推挽升压电路

假设变压器变比为N2/N1D为V1、V2控制脉冲的占空比,则输出电压Vo1

    Vo1=2DVin(N2/N1)(1)

由式(1)可知,只要调节占空比D即可调节直流侧输出电压Vo1,从而改变交流输出电压,其中D由电压反馈环节反馈并经PID调节器处理后送至TL494的反馈输入端(管脚3)。

2.2  逆变电路

1)控制电路

本文采用了一种新型的预置相位PWM波的数字控制方案,逆变器六个开关管的开关状态同某一调制比的SPWM脉冲相对应(本实验电路中调制比为0.98), 其出发点是由一片EPROM来存储这六个开关管的开关状态,同一桥端开关管之间相位互差120°,同桥臂上下开关管互补导通且有死区。其逆变驱动电路如图 3所示。

图3  三相逆变驱动电路

预置于EPROM内的数值由多种方式产 生,常见的是先计算出来并存表,对应于不同的基波频率,按一定规律算出相对应的脉宽,再转换成数值。本文通过建立起三相逆变电路SPWM控制的模型,采用 MATLAB仿真,M-file程序加死区处理后得到如图4所示的控制开关管的脉冲波形。

(a)对应开关管VT1

(b)对应开关管VT4

图4  对应开关管的控制脉冲

可见,同一桥臂两开关管VT1与VT4的 控制脉冲满足互补导通关系。将一个周期取样,高电平“1”对应开关管导通,低电平“0”对应开关管关断,就可将一周期内任一时刻六个开关管的开关状态对应 于二进制数010110、010100、110100......依此类推,可得出任一时刻的六个开关管开关状态。将这些二进制数据转换为十六进制后存储 于EPROM内,再经如图5所示的SPWM波生成原理图转换后,就可将这些存储于EPROM内的数据转换成任一时刻开关管对应的状态。修改MATLAB程 序,可得到不同的开关频率,也可改变调制比和输出的基波频率。

图5  SPWM波生成原理图

2)驱动电路

本文采用的是由IR2130为核心元件及其外围元器件构成的驱动电路,电路结构简单,集成度高,集控制电路、电平转换、低阻抗输出和识别保护等为一体。仅 需一路辅助电源供电,较常规的驱动电路省去了三路辅助电源,几个外围分立元器件就可使三相桥式电路的逻辑控制信号与MOS栅极器件完整连接。

2.3  检测与保护电路

 检测电路主要有直流输入电流检测、推挽直流输出电压检测、交流输出电压检测等。根据直流输入电流的检测结果,可判断推挽环节和逆变环节有无过载和短路现 象,若有,则通过保护电路封锁控制信号脉冲使推挽升压电路和逆变电路均停止工作;交流输出电压检测电路一方面将电压反馈至推挽环节的调整电路以调整逆变器 的输出电压,另一方面送至保护电路,当输出电压过高时封锁输出电压脉冲,以上保护信号还可转换成对应的电压信号送至IR2130的脚9(Itrip端), 当该信号大于其内置的0.5V参考电位时,IR2130就封锁六路开关管的驱动信号,起到了双重保护作用。

3  实验结果

根据上述理论,设计了一台样机。主要技术指标为

    蓄电池电压在22~26V之间变化;

    输出交流电压为110V±3%;

    频率为400Hz±0.1%;

    输出功率为500W。

3.1  电路参数

推挽升压电路    功率管选用两只2SK1506并联,开关频率为40kHz。

逆变电路    输出滤波电感为1mH,滤波电容为5μF,功率管选用IRF840,开关频率为10kHz。

3.2  实验结果

图6为同一桥臂上下两管(开关管VT1、VT4)的驱动波形,可见,死区时间的加入使两管的驱动波形不完全满足互补导通关系。图7为三相(图中仅示出两相)逆变电源输出电压波形,由图可见其输出波形正弦度较好,满足预定的性能指标。

图6  MOSFET的驱动波形(5V/div,100μs/div)

上管对应VT1的驱动波形

下管对应VT4的驱动波形

图7  逆变器输出电压波形(50V/div,2.5ms/div)

4  结语

理论分析和实验结果都表明,本文提出的这种新型、简易的三相逆变电源的数字控制方案是一种可行的SPWM控制方案。由于采用了数字控制方案,它具有较强的抗干扰能力,可靠性高,而且实现简单、电路成本低,具有较高的性价比。

相关资讯
CIS芯片龙头年报解读:格科微高像素战略如何实现287%净利增长

格科微电子(688728.SH)2024年度财务报告显示,公司年度营收突破63.83亿元人民币,实现35.9%的同比增幅,归母净利润呈几何级增长达1.87亿元,EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略,特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。

RS2604 vs 传统保险丝:技术迭代下的安全与效率革命

RS2604作为一款高集成度、可配置OVP(过压保护)和OCP(过流保护)的eFuse开关,专为12V24V母线电压接口设计,兼顾热插拔保护与动态负载管理。其输入电压覆盖4.5V40V,极限耐压高达45V,适用于工业设备、汽车电子及消费电子领域。通过外部电阻灵活设置350mA至2.5A的限流值,结合±7%高精度电流检测,RS2604在安全性与能效间实现平衡,成为复杂电源系统的核心保护方案。

全球汽车芯片市场遇冷,恩智浦如何守住56%毛利率防线?

荷兰半导体巨头恩智浦于2025年4月28日披露的财报显示,公司第一季度营收28.35亿美元,同比、环比均下滑9%,但略超市场预期。在汽车、工业与物联网等核心业务需求疲软的背景下,Non-GAAP毛利率同比下降2.1个百分点至56.1%,自由现金流则维持在4.27亿美元,突显其成本控制能力。值得关注的是,管理层对第二季度营收指引中值(29亿美元)释放出环比复苏信号,但关税政策的不确定性仍为业绩蒙上阴影。

全闪存与软件定义双轮驱动——中国存储产业年度趋势报告

根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。

索尼启动半导体业务战略重组 图像传感器龙头或迎资本化新篇章

全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。