发布时间:2011-02-23 阅读量:810 来源: 发布人:
中心议题
*凌力尔特公司推出能接受 36V 输入的同步降压型开关稳压器 LT3690
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2011 年 2 月 16 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出能接受 36V 输入的同步降压型开关稳压器 LT3690,该器件在效率高达 93% 时,可提供高达 4A 的连续输出电流。LT3690 在 3.9V 至 36V 的 VIN 范围内工作,提供 60V 瞬态保护,从而非常适用于汽车应用中常见的负载突降和冷车发动情况。LT3690 的突发模式 (Burst Mode®) 工作仅需要 70uA 的静态电流,适用于汽车或电信系统等应用,因为这类应用需要始终保持接通工作和最佳电池寿命。开关频率从 170kHz 到 1.5MHz 是用户可编程的,从而使设计师能优化效率,同时避开了关键噪声敏感频段。其 4mm x 6mm QFN-26 封装与高开关频率相结合,允许使用小的外部电感器和电容器,从而可提供一个占板面积紧凑、热效率高的解决方案。
LT3690 采用一个高效率 5.5A、90mΩ 高压侧开关,必要的升压二极管、振荡器、控制和逻辑电路都集成到单个芯片中。30mΩ 内部同步电源开关提高了效率,并且不再需要外部箝位肖特基二极管。低纹波突发模式工作可在低输出电流情况下维持高效率,同时保持输出纹波低于 15mVPK-PK。特殊设计方法使得在宽输入电压范围内实现了高效率,而且该器件的电流模式拓扑实现了快速瞬态响应和卓越的环路稳定性。其他特点包括外部同步 (从 170kHz 到 1.5MHz)、电源良好标记和坚固的短路保护。
以 1,000 片为单位批量购买,LT3690EUFE 的价格为每片 4.95 美元。LT3690IUFE经过测试,保证在 -40°C 至 125°C 的工作节温范围内工作,千片批购价为每片 5.45 美元。所有版本的器件都有现货供应。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LT3690。
照片说明:36V、4A (IOUT)、同步降压型开关稳压器
性能概要:LT3690
• 宽输入范围:在 3.9V 至 36V 的输入电压范围内工作,过压闭锁保护电路可安全经受 60V 瞬态
• 最大输出电流为 4A
• 集成的 30mΩ N 沟道同步开关
• 在 12VIN 至 3.3VOUT 时的 IQ 为 70uA
• 低纹波突发模式工作允许输出纹波 <15mVP-P
• 可编程输入欠压闭锁
• 0.8V 反馈基准电压
• 输出电压范围为 0.8V 至 20V
• 可编程和可同步振荡器 (170kHz 至 1.5MHz)
• 软启动和输出电压跟踪
• 坚固的抗短路性能性
• 电源良好标记
• 小型耐热增强型 4mm x 6mm QFN 封装
凌力尔特公司简介
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 是 S&P 500 指数的成员,在过往的 30 年时间里,一直致力于为全球主要的公司设计、制造和销售门类宽泛的高性能模拟集成电路。凌力尔特的产品为我们身处的模拟世界与数字化电子建立起不可或缺的桥梁,应用范围包括通信、网络、工业、汽车、计算机、医疗、仪表、消费、以及军事和航空航天系统等领域。凌力尔特制造的产品包括电源管理、数据转换、信号调理、RF 和接口 IC、以及 µModule 子系统等。
LT、LTC、LTM、µModule 和 是凌力尔特公司的注册商标。所有其他商标均为其各自拥有者的产权。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。