发布时间:2011-02-14 阅读量:769 来源: 发布人:
LED照明市场核心竞争力定位的中心议题:
* 美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局
* LED照明和传统照明两个领域正逐步合二为一,加速形成一种新的照明商业模式
* LED照明市场国内形势
在节能减排的大趋势情形下,面对巨大的市场机会以及如此疯狂的照明市场竞争,世界大牌的LED企业都在加大研发力度,新技术不断取得突破性进展,LED照明技术创新的步伐正在不断加快。找准并巩固在照明市场竞争中的定位。
目前,LED照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。国际上日亚化学、丰田合成、科锐、飞利浦、欧司朗等五大巨头垄断了高端产品市场,这五大企业在产品与市场方面各具特色,都形成了LED完整的产业链。他们利用其在新产品和新技术领域中的创新优势,主要从事高附加价值产品的生产。
2011年照明市场核心竞争力定位
传统照明巨头引入LED新光源,加速形成新商业模式。各国政府积极制定环保法规,禁止使用白炽灯。另外,值得一提的是,中国台湾地区LED产业近年来迅速崛起,其芯片产量及封装产量占据世界第一的位置。有数据显示,我国台湾产品的市场份额在世界60%以上,但其产品档次还不能进入第一梯队。
由于全球照明用电量高居全年总用电量20%,其中多达90%的电能被转换成热能消耗,非常不具经济效益,在环保、节能的考虑下,LED照明已快速成为颇受关注的技术和产业。同时,各国政府积极制定环保法规,在市场与法规双重利益刺激下,全球LED产业规模呈快速增长之势。
LED照明产生的效益显而易见。澳大利亚于2007年在世界上第一个出台了禁止使用白炽灯法规,欧盟也于2009年3月通过了有关淘汰白炽灯的法规。因此,国际上两大传统照明公司欧司朗和飞利浦最近几年加快了在LED照明领域的布局。他们的进入促进了LED照明市场的快速发展,同时也加快了LED技术进步的步伐。LED照明的优势不言而喻。LED灯的发光效率很高,寿命很长,它的发光效率能达到日光灯的2.5倍、白炽灯的13倍。白炽灯的发光效率是很低的,只有5%的电能转化为光能,95%的电能都变成热浪费了。随着LED产业在照明领域的快速发展,传统照明巨头希望通过引入新光源的设计而使照明产品更富创新性。因此,LED照明和传统照明两个领域正逐步合二为一,加速形成一种新的照明商业模式,这非常有利于LED照明的迅速推广使用。
新兴市场俄罗斯增幅高达166.8%,南美市场增幅约121%,中东市场增幅也达到43%,非洲增速较为缓慢仅14%。在各新兴市场中,唯有东盟市场出口不升反降,比去年同期下降8.6%。
当前灯饰行业存在的问题,主要表现在长远发展战略意识不强、急功近利行为突出、产品质量缺乏有效控制、以出口低端市场为主、市场竞争能力较弱,这些既是帮扶和监管的重点,也是产业结构优化升级中的难点和焦点。上半年,受国际经济复苏利好因素影响,中山灯饰产品出口同比大幅度增长,但出口过程中,产品质量缺乏有效控制、以出口低端市场为主、市场竞争能力较弱等问题仍较为突出。
针对灯饰行业目前存在的问题,中山检验检疫局自2009年下半年以来,即加大了对生产企业的帮扶力度,结合推进新的分类管理办法,有计划、有针对性派遣业务骨干帮助企业查找问题并对症下药,鼓励企业走质量、品牌之路。自2008年以来,受美国、欧洲高端市场遭遇次贷危机、希腊信用危机等影响,中山不少电光源及灯具企业在开拓以中低端产品为主的中东、南美、东盟地区时,为追求利润一味满足客户低价要求,降低了出口灯具的整体质量。其中,节能灯、户外灯、 LED灯问题较为突出。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。