发布时间:2011-01-11 阅读量:1207 来源: 发布人:
中心议题:
* 瑞萨MCU适当均衡了性能和成本,能够解决大量应用的电机控制挑战
瑞萨MCU:丰富的特性集
* 高性能16/32位CISC和RISC引擎为实时控制提供了处理功能
* 可选浮点单元(FPU)和具有DSP功能的CPU内核
* 嵌入式存储器:FLASH(1MB,最大值)、RAM(40KB,最大值)
* 面向电机控制应用的集成式多功能定时器单元
* 高速、多通道A/D和D/A转换器
* 片上外设能够轻松连接外设存储器、LSI和主机PC
* 面向节能应用的低功耗模式
* 片上调试模式简化了开发,缩短了运转周期
瑞萨面向电机控制应用的MCU系列
Super H 系列简介
SuperH系列提供了当今复杂设计所需的最高的处理吞吐量。SuperH能够实现工作频率高达400MHz的高精度、高速设计,可以并行处理多条指令的超标量设计,具有单周期存取功能(其进一步加快了处理速度)的1MB大容量片上Flash存储器。
该高性能处理器系列整合了大量高级片上外设,具有极低的功耗,可以创建基于RISC的MPU/MCU系统,可以消除对定制ASIC的需求。
SH/Tiny系列产品
SH/Tiny系列是一款带有片上Flash存储器的微控制器,提供50MHz的最高工作频率。它仅提供单芯片模式。该系列在单块芯片内整合了1个16位多功能定时器和高速A/D转换器,并且轻松实现了电机等的系统控制。该系列产品具有片上调试功能,支持可以实现多种调试功能的Full ICE,并且提供了一个简便易用的开发环境。
M16C SH/Tiny系列是一款带有片上Flash存储器的微控制器,提供50MHz的最高工作频率。它仅提供单芯片模式。该系列在单块芯片内整合了1个16位多功能定时器和高速A/D转换器,并且轻松实现了电机等的系统控制。该系列产品具有片上调试功能,支持可以实现多种调试功能的Full ICE,并且提供了一个简便易用的开发环境。
M16C系列提供了业内最广泛的多功能MCU平台,具有无缝代码和引脚兼容性。
M16C系列提供了功能强大的16/32位CISC微控制器平台,其工作速率范围为16MHz~64MHz,具有512K片上Flash存储器、高ROM 代码效率、高EMI/EMS抗扰度和极低的功耗。它还具有大量标准片上外设选项和业内最高的引脚对引脚兼容性(引脚多达144个)。这款单架构瑞萨标准平台MCU提供了最全面的器件升级性– 从低端到高端。
M16C/60 系列产品
M16C/60系列具有1MB的存储器空间。标准片上外设包含16位多功能定时器(具有三相逆变器电机控制功能)、UART/时钟同步串行接口、时钟同步串行接口、10位A/D转换器、8位D/A转换器、DMAC、CRC计算电路、看门狗定时器等。
M32C/80 系列产品
M32C/80系列具有16MB的存储器空间。标准片上外设包含16位多功能定时器(具有三相逆变器电机控制功能)、UART/时钟同步串行接口、10位 A/D转换器、8位D/A转换器、DMAC、CRC计算电路、X/Y转换器、看门狗定时器、停振检测功能、PLL锁相环等。
R8C族 系列产品
R8C 16位微控制器尺寸小、性能高、价值高。它适于那些需要低成本器件、能够提供高性能、节省空间和采用小型低引脚数封装的8位嵌入式系统应用。
这些面向通用应用的MCU具有高达20MHz的速度和高达16K的片上Flash存储器,提供了多功能外设,并且采用引脚数为32个或更少的小型LQFP封装。R8C Tiny系列产品基于MC16系列16位微控制器,具有高性能、高ROM代码效率、低功耗和低噪声特性,同时其指令兼容性还允许我们使用现有M16C系列产品的软件资源。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。