发布时间：2010-12-16 阅读量：1081 来源: 发布人:
【中心议题】
【解决方案】
1 柔性电致发光器件
软屏显示器件日益成为国际研究的热点,近些年的一些突破性科研成果,使得软屏OLED显示器件向商品化又迈进了一步。索尼公司发表了将低温多晶硅Si-TFT拷贝到塑料底板上的技术,并试制出了液晶面板;美国Visible Tech-knowledgy公司和普林斯顿大学发表了在聚酰亚胺树脂基片上利用低温工艺(150℃)制备非晶硅TFT阵列技术;夏普和住友电木研制出高玻璃转变温度的塑料基片,并发表了基于该塑料基片的低温(220℃)非晶硅TFT阵列技术;德国SchottDisplay glas公司的研究小组发表了集玻璃和有机薄膜所长的玻璃底板技术。这些技术的实现,可将柔性TFT驱动电路和OLED器件集成起来,实现大屏幕、全彩色OLED软屏显示。
2 硅基发光二极管(OLEDoS)微显示技术
微显示器与大面积平板显示器一样,能提供大量的信息,它的便携性和方面性也大为提高。新兴的微显示技术较现行的微显示器具有更好的彩色品质和更大的视角,应用领域正在不断扩展。目前涌现出几种新的显示技术正被用于微显示器,如:硅片上的液晶(LCoS)和硅片上的有机发光二极管等。美国eMagin公司制作出用于全色OLEDoS微显示器,其分辨率为600(×3)×852,并可在显示器阵列中的每个像素单元中存储全部的色彩和亮度信息,同时也消除了大多数其它高分辨率显示器常会遇到的闪烁或彩色蜕变。
3 透明OLED器件(transparentOLED)
“经典”的OLED器件都采用透明导电的ITO作为阳极,不透明的金属层作为阴极。而OLED中采用的发光材料在可见光区都有很高的透过率,因此只要采用透明的阴极就可以实现透明的OLED器件。透明的OLED器件结构的引入,使得人们可以设计堆叠式OLED器件,在同一位置制备红、绿、蓝三色器件,这为高分辨率的全彩色OLED面板提供了可能。透明OLED还可以在镜片、车窗上,在通电后发光,而不通电时透明。
4 表面发射OLED器件(Surface emitting OLED)
表面发射OLED器件是从与底板相反的方向获取发光,是一项令人注目的可提高OLED面板亮度的技术。在TFT阵列驱动的OLED器件中,若采用常规的器件结构,OLED面板发光层只能从驱动面板的TFT主板上设置的开口射出,因此,透出面板外的发光仅有发光层的10% ~30%,大部分发光都浪费了。而采用表面发射结构,从透明的器件表面获取发光,则能大幅度提高光的射出效率。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
